Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits

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1. 第 1 章

   晶体结构 能带 禁带宽度 电子与空穴 费米能级 掺杂 载流子浓度 本征半导体

2. 第 1 章 1.1 节

   晶体结构

3. 第 1 章 1.3–1.6 节

   能带 禁带宽度 费米能级 电子与空穴

4. 第 1 章 1.5–1.6 节

   能带 电子与空穴 载流子浓度

5. 第 1 章 1.7 节

   费米能级 电子与空穴 载流子浓度

6. 第 1 章 1.8 节.1–1.8.2

   费米能级 电子与空穴 载流子浓度

7. 第 1 章 1.8 节.3

   本征半导体 禁带宽度 费米能级 载流子浓度

8. 第 1 章 1.9–1.10 节

   掺杂 载流子浓度

9. 第 2 章

   复合与产生 漂移 扩散 迁移率

10. 第 2 章 2.2 节

    晶体结构 漂移

11. 第 2 章 2.2–2.3 节

    漂移 迁移率

12. 第 2 章 2.4–2.5 节

    漂移 扩散 迁移率

13. 第 2 章 2.6–2.8 节

    费米能级 复合与产生

14. 第 4 章 §§4.16–4.18，第 133–141 页

    肖特基二极管

15. 第 4 章 4.1–4.2 节，第 91–97 页

    PN 结 耗尽层 二极管

16. 第 4 章 4.3–4.5 节

    耗尽层 二极管

17. 第 4 章 4.3–4.8 节

    PN 结 耗尽层 二极管

18. 第 4 章 4.6–4.8 节，第 104–112 页

    PN 结 二极管

19. 第 5 章

    MOS 电容 阈值电压 MOSFET

20. 第 5 章 5.1–5.5 节，第 157–166 页

    MOS 电容 阈值电压

21. 第 5 章 5.6–5.7 节，第 167–173 页

    MOS 电容 阈值电压

22. 第 6 章

    MOSFET 短沟道效应

23. 第 6 章 §§6.1–6.3，第 197–205 页

    NMOS 与 PMOS

24. 第 6 章 §§6.16–6.16.1，第 238–240 页

    SRAM

25. 第 6 章 §§6.16–6.16.2，第 238–242， 页

    DRAM

26. 第 6 章 §§6.16、6.16.3，第 238、242–244 页

    Flash 存储器

27. 第 6 章 §6.7，第 214–219 页

    CMOS 反相器

28. 第 6–7 章

    阈值电压 MOSFET

29. 第 7 章

    MOSFET 短沟道效应

30. 第 7 章 §§7.2–7.4

    阈值电压 MOSFET 短沟道效应

31. 第 7 章 §7.8

    短沟道效应 FinFET GAAFET

32. 第 8 章

    双极型晶体管