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2026 年 8 月
- 半导体物理完成从能带色散到PN结高场行为的统一证据链
- 半导体材料完成从晶体坐标到缺陷资格的证据链
- LED光学仿真完成从光线追迹到微纳结构验证的证据链
- 多物理场建模完成从对象定义到耦合验证的证据链
- 器件仿真完成从控制方程到独立验证的可信度证据链
- 外延生长完成从晶格界面到晶圆资格的证据链
- 纳米压印完成从模板复制到图形转移的可制造性证据链
- LED芯片完成从电流路径到电光制造签核的证据链
- Ⅲ族氮化物LED完成从衬底成核到量子阱发光的证据链
- 半导体表征完成从成像信号到成分根因的证据链
- SiC压力传感器完成材料到校准的第一性原理闭环
- IGBT纵向结构、沟槽载流子增强与IPM保护边界上线
- 高阻硅衬底、功率硅外延与薄晶圆背面工艺上线
- SiC体晶、外延缺陷与GaN衬底缓冲工程上线
- 化合物发光器件、加速寿命与缺陷定位上线
- 功率器件晶圆、前道与模块制造缺陷链上线
- IR-OBIRCH、时间分辨发光与微区电学分析上线
- 失效分析证据链、故障定位与材料制样上线
- SiC/GaN功率循环测温与可比性治理上线
- 宇宙射线环境、单粒子烧毁与系统降额上线
- 功率循环测量、寿命模型与统计验收上线
- 顶层金属化、压接接触与多物理场校准上线
- 功率循环方法、键合线与焊层失效闭环上线
- 振动、机械冲击与温度环境资格验证上线
- HTGB、HTRB与高压湿热资格验证上线
- 安全工作区、短路雪崩与功率循环寿命上线
- 栅极驱动、双脉冲测试与结温热阻闭环上线
- 功率开关器件知识簇上线
- LDO、Buck与电源时序补齐稳压和确定启动主线
- PDN、去耦反谐振与同步开关噪声补齐电源完整性闭环
- IBIS、IBIS-AMI与实测相关贯通高速链路模型签核
- 串扰、模式转换与COM补齐高速通道签核闭环
- CDR、抖动传递与参考时钟贯通高速链路时间闭环
- PAM4、FEC与接收机容限贯通多电平高速链路合规
- SerDes、链路均衡与BERT贯通高速接口端到端验证
- TDR/TDT、眼图与时序抖动贯通高速信号完整性验证链
- VNA、校准参考面与夹具去嵌形成可信射频测量闭环
- 传输线、S参数与Smith圆图补齐射频网络第一性原理底座
2026 年 7 月
- 射频滤波、阻抗匹配与天线接口贯通芯片到空间链路
- 接收灵敏度、链路预算与数字调制质量系统闭环上线
- LNA、混频器与RF功率放大器收发主线贯通
- 带隙基准、振荡器与PLL时钟参考主线贯通
- 采样保持、开关电容与DAC离散时间主线贯通
- 噪声、比较器与ADC混合信号主线贯通
- 频率响应、负反馈与运算放大器主线贯通
- 模拟电路基础知识上线
- 器件小信号与模拟设计基础进入可复算阶段
- 统计、可靠性与测试知识进入可复算阶段
- 电路、时序与制造知识进入可复算阶段
- 器件物理主线补齐可复算例题
- 存储知识进入可计算与边界验证阶段
- SRAM—DRAM—Flash存储层次专题上线
- STA、布局布线与CTS完成主路径补强
- RTL、功能验证与逻辑综合完成主路径补强
- 芯片规格、架构与数字逻辑完成主路径补强
- NMOS/PMOS与CMOS反相器完成主路径补强
- 肖特基二极管完成第一性原理补强
- 全站浅色视觉系统与动态卡片升级
- 全站图形规范化与知识对抗性审查
- 新增极紫外光刻第一性原理节点
- 新增多重图形化第一性原理节点
- 新增OPC与计算光刻第一性原理节点
- 新增对准与套刻第一性原理节点
- 掩模版节点完成第一性原理深化
- 两本先进光刻教材进入知识网络
- 刻蚀节点完成第一性原理深化
- 产业链改为纵向顺序浏览
- 来源与证据中心上线
- 主路径知识与出处补充
- 内容与页面问题修订
- 对抗性审查后的信任与闭环修复
- 制造关键步原创图示
- 主路径「从硅到芯片」内容闭环
- 枢纽节点深化与原创示意简图
- 主路径与可信度修正
- MVP 静态原型上线