半导体物理学（第8版）

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1. 第 1 章

   晶体结构 能带 禁带宽度 电子与空穴

2. 第 1 章 1.1.1–1.1.2

   晶体结构

3. 第 1 章 1.2–1.6

   能带 禁带宽度 电子与空穴

4. 第 1 章 1.6–1.9

   禁带宽度

5. 第 1 章 1.6–1.10

   能带 禁带宽度

6. 第 2 章

   晶体结构 掺杂 载流子浓度

7. 第 3 章

   掺杂 载流子浓度 本征半导体 禁带宽度 费米能级 电子与空穴

8. 第 3 章 3.2

   费米能级 载流子浓度

9. 第 3 章 3.2–3.4

   本征半导体 费米能级 电子与空穴 掺杂 载流子浓度

10. 第 4 章 4.1

    漂移 迁移率

11. 第4–5章

    漂移 扩散 复合与产生 迁移率

12. 第 5 章

    费米能级 复合与产生

13. 第 5 章 5.1–5.4

    费米能级 复合与产生

14. 第 5 章 5.7–5.8

    扩散 复合与产生 迁移率

15. 第 5 章 5.8

    漂移 扩散 复合与产生 连续性方程

16. 第 6 章

    PN 结 耗尽层 二极管

17. 第 6 章 6.1

    PN 结 耗尽层

18. 第 6 章 6.2–6.3

    PN 结 二极管

19. 第 6 章击穿部分

    二极管

20. 第 6 章结电容部分

    耗尽层 二极管

21. 第 7 章 §§7.2.1–7.2.4，第 193–200 页

    肖特基二极管

22. 第 8 章，半导体表面与MIS结构

    MOS 电容 阈值电压

23. 第 8 章，表面场效应与开启电压

    MOS 电容 阈值电压 MOSFET