Physics of Semiconductor Devices

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1. 第 1 章 1.2 节

   晶体结构 能带

2. 第 1 章 1.3 节

   能带 禁带宽度

3. 第 1 章 1.3–1.4 节

   能带 禁带宽度 费米能级 电子与空穴

4. 第 1 章 1.4 节.1

   本征半导体 费米能级 电子与空穴 载流子浓度

5. 第 1 章 1.4 节.2–1.4.3

   本征半导体 费米能级 掺杂 载流子浓度

6. 第 1 章 1.5 节

   漂移 迁移率

7. 第 1 章 1.5 节.4–1.5.5

   复合与产生

8. 第 1 章 1.8 节

   禁带宽度 复合与产生

9. 第 3 章 §3.4

   肖特基二极管

10. Part II，4.3 节 Silicon MOS Capacitor

    MOS 电容 阈值电压

11. 第 5 章

    双极型晶体管

12. 第 6 章

    阈值电压 MOSFET 短沟道效应

13. 第 6 章 §§6.4–6.4.5

    阈值电压 MOSFET 短沟道效应

14. 第 6 章 §§6.5.4–6.5.5

    短沟道效应 FinFET GAAFET

15. 第 6 章 §6.5.6 Power MOSFETs，第 402–409 页

    功率 MOSFET

16. 第 11 章 §11.4.1 Insulated-Gate Bipolar Transistor，第 649–655 页

    绝缘栅双极型晶体管

17. Part II

    PN 结 耗尽层 二极管 MOS 电容 阈值电压

18. Part II，MOS Interface and Oxide Charge

    MOS 电容 阈值电压

19. Part II，PN Junction Electrostatics

    PN 结 耗尽层