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半导体开放世界

运算放大器

Operational Amplifier(Op Amp)也称 运放、OTA/电压运放、operational amplifier、op-amp、CMOS op amp

以差分输入检测误差、用高开环增益驱动输出,并在负反馈下实现受控传递;真正可用性由增益、频率稳定性、输入输出范围、噪声、失调、压摆和负载共同决定。

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速览

约 1 分钟

运放不是一个“永远满足虚短”的理想三角形。它通常由差分输入级、偏置与有源负载、增益级、补偿和输出驱动组成。只有负反馈正确、环路稳定、输入共模和输出摆幅均在范围内且未受压摆限制时,两个输入才近似相等。

系统理解

约 3 分钟

运算放大器用差分输入级把输入误差转换为电流或电压,经一个或多个高增益节点放大,再由输出级驱动负载。电流镜负责偏置和差分到单端转换,共源或共源共栅级提供电压增益。单级共源共栅结构速度高、内部节点少但摆幅受限;两级结构容易获得高增益和较大摆幅,却引入额外低频极点,需要补偿。

开环增益不是常数,而是随频率下降的传递函数。闭环精度取决于工作频率处的环路增益,稳定性取决于单位环路增益附近的极点、零点和负载。米勒补偿可分裂极点、建立主极点,但补偿电容的前馈路径可能产生右半平面零点;调零电阻、前馈缓冲或其他补偿结构用于控制该零点和非主极点。

直流与大信号边界同样重要。输入共模范围要求输入对、尾源和负载保持正确工作区;输出摆幅要求上下拉器件保留余度。输入失调、偏置误差、CMRR和PSRR描述不期望信号如何进入输出。大阶跃时可用充放电电流受限,输出先按SR≈I/C线性爬升,随后才进入小信号指数建立,因此单位增益带宽不能单独预测建立时间。

全差分运放还需要共模反馈检测并控制两端平均电平;差模反馈无法固定输出共模。负载电容、电阻、输出电流、源阻抗、PVT和失配会同时改变增益、极点、摆幅、噪声和稳定性。运放设计的本质是在目标闭环应用中联合收敛,而不是脱离反馈网络最大化某一个开环指标。

汇合差分对、电流镜、共源放大器、频率响应与负反馈,向上连接有源滤波、ADC/DAC、基准、传感接口和电源管理。

公式提示

线性负反馈下差分误差约为vout/A(s),大信号压摆率常近似SR≈Icharge/Ccomp。总建立时间包含压摆阶段与小信号稳定阶段,两者均需满足目标精度。

关键参数

关键参数
参数单位含义
直流增益、单位增益频率与相位裕度dB / Hz / °共同决定闭环精度、速度和稳定性
输入共模范围、输出摆幅与输出电流V / A限定接口和负载下的有效工作区域
失调、CMRR、PSRR与输入参考噪声V / dB / V/√Hz量化非理想输入、电源和器件误差
压摆率与建立时间V/s / s分别描述大信号斜率和达到规定精度的总时间
功耗、面积、负载与PVT—决定拓扑选择、器件尺寸、补偿和鲁棒性

常见误区

  • 认为理想运放规则可在开环、饱和或不稳定状态下直接使用
  • 认为更高开环增益必然同时带来更高带宽和更快建立
  • 认为单位增益稳定意味着任意容性负载和任意噪声增益下稳定
  • 认为全差分运放只需要差模反馈,不需要输出共模控制
  • 认为压摆率、带宽与建立时间是同一个速度指标

工程深入

16 条结论 · 1 道例题

结构与闭环角色

定义

运放是高增益差分输入放大器

运放检测两个输入端的电压差并产生输出,设计目标是在给定电源、负载和频率范围内提供足够开环增益,使外部负反馈决定闭环功能。12

成立条件 实际运放增益有限且随频率变化;OTA以输出电流为主要变量,电压运放还包含输出电压驱动能力

机制

差分输入、增益和输出驱动构成基本信号链

输入差分对把误差电压转成电流,电流镜或有源负载完成偏置与单端转换,增益级把电流变成较大电压,输出级再向负载提供电流。12

成立条件 具体结构可把多个功能合并在同一级;每一级的直流共模与信号摆幅必须兼容

差分对 组成:差分对构成运放输入误差检测核心。
电流镜 组成:电流镜提供偏置并可完成差分到单端转换。
边界

虚短只是在有效负反馈下的小误差近似

若闭环稳定、输出未饱和且工作频率处环路增益很大,输入差分电压会很小;开环、正反馈、限幅、压摆或低环路增益时不能令v+=v−。12

成立条件 输入电流近似为零也受泄漏、偏置和保护网络限制;分析前应先检查反馈极性与工作区

关联

运放必须在目标闭环中定义可用性

同一运放在不同噪声增益、源阻抗、反馈网络和负载下会呈现不同带宽、稳定性、噪声与输出范围;脱离应用只列开环指标不能证明可用。12

成立条件 最小稳定增益与容性负载范围必须进入应用条件;外部反馈元件的误差和噪声也需预算

负反馈 用于:运放依靠外部负反馈把高开环增益转换为闭环功能。

增益、拓扑与补偿

机制

单级共源共栅用少量高阻节点获得增益

套筒式或折叠式共源共栅以级联器件提高输出电阻,内部低频极点较少、速度较高,但叠加器件消耗电压余度并限制输入输出范围。12

成立条件 低电源电压下余度可能成为首要限制;级联偏置和器件ro随PVT变化

机制

两级运放用级联增益换取摆幅和补偿负担

第一级提供差分增益并驱动第二级,第二级再提供增益与输出摆幅;总增益近似为各级增益乘积,但每个高阻节点至少带来一个低频动态模式。12

成立条件 级间直流电平必须兼容;第二级负载和补偿会反向加载第一级

公式

闭环精度由工作频率处的开环增益决定

反馈系数β给定时,输出与理想闭环值的有限增益误差约为1/(1+Aβ);A随频率下降,因此高频精度会比直流更差。12

Acl=A(s)/(1+A(s)β);εgain≈1/(1+Aβ)

Acl
闭环增益
A(s)
频率相关开环增益
β
反馈系数
εgain
有限环路增益误差量级

成立条件 线性稳定且反馈网络可用标量β表示;失调、β误差和共模误差需另计

机制

补偿把内部极零点塑造成可稳定环路

两级运放常用米勒电容建立主极点并分裂极点;补偿电容的前馈通路可能产生右半平面零点,需用调零电阻、缓冲或其他结构控制。12

成立条件 补偿需按目标噪声增益和负载设计;PVT与寄生会移动极零点

频率响应 前置:运放补偿依赖极点、零点、单位交越和相位裕度分析。

范围、误差与共模

边界

输入共模范围由输入级、尾源和负载共同限定

输入平均电平过高或过低会使输入管、尾电流源或有源负载离开规定工作区,导致gm、增益、失调与噪声改变;所谓轨到轨也存在跨区和性能起伏。12

成立条件 边界依输入对极性、工艺与拓扑;需要在PVT和输出状态下联合检查

边界

输出摆幅和驱动电流是不同约束

静态输出接近电源轨需要上下器件保留工作区余度,动态驱动还需提供负载电流和电容充放电电流;高阻轻载的摆幅不能外推到重载。12

成立条件 规格需同时给出负载电阻、电容和输出电流;短路保护或限流会改变可用摆幅

定义

失调、CMRR和PSRR描述不同误差入口

输入失调把器件不对称折算为等效差分电压,CMRR衡量共模到输出的泄漏,PSRR衡量电源扰动到输出的泄漏;三者不能互相替代。12

成立条件 均随频率、共模、输出、电源和温度变化;测量需统一增益与输出参考

机制

全差分运放需要独立共模反馈

差模反馈只控制两输出之差,无法固定两输出平均值;CMFB必须检测输出共模、与参考比较并调节偏置,使上下电流失配不会把共模推向电源轨。12

成立条件 CMFB自身是反馈环路并需稳定性验证;共模检测网络不能过度加载差模输出

速度、噪声与验证

公式

压摆率由可用充放电电流和电容决定

大差分输入使输入级电流近乎完全转向时,补偿或负载电容只能由有限电流充放电,输出斜率近似受I/C限制。12

SR≈Icharge/C

SR
压摆率,单位 V/s
Icharge
可用于充放电的净电流,单位 A
C
被驱动的补偿或等效电容,单位 F

成立条件 I是实际可到达目标电容的净电流;正负压摆率可能不同;后级限流可成为更紧边界

例题:动手算一次教学假设,可复算

若补偿电容为2 pF,可用充电电流为20 μA,理想压摆率和完成1 V爬升的最短压摆时间是多少?

已知

  1. C=2 pF
  2. Icharge=20 μA
  3. ΔV=1 V
  4. 忽略限流变化与小信号尾部建立

步骤

  1. SR=20 μA/2 pF=10 V/μs,净充电电流除以电容
  2. tslew=ΔV/SR=1 V/(10 V/μs)=0.10 μs,用恒斜率估算压摆阶段下限
结果 理想压摆率约10 V/μs,1 V压摆阶段至少约0.10 μs。

总建立时间还要加上回到小信号后的指数稳定时间。

不能外推到 真实电流会随输出与内部节点变化;此例不能替代负载、正负方向和目标精度下的瞬态仿真。

边界

建立时间包含压摆和线性稳定两个阶段

大阶跃初期可能由压摆率决定,接近目标后由闭环极点、阻尼和有限环路增益决定误差衰减;只用带宽或SR之一都不能得到总建立时间。12

成立条件 目标精度必须明确,如1%、0.1%或更低;过冲、振铃和内部饱和会延长建立

机制

输入级、负载和偏置共同形成噪声

输入对通常主导输入参考噪声,但有源负载、尾源、后级和反馈网络也会经各自传递函数贡献热噪声与闪烁噪声;降低噪声常需增加gm、面积、电流或电容。12

成立条件 需区分噪声谱密度、积分噪声和噪声带宽;PMOS/NMOS噪声优势依工艺和频率

关联

运放设计是多指标闭环收敛

结构、器件尺寸、偏置和补偿必须在增益、带宽、相位裕度、摆幅、ICMR、噪声、失调、SR、建立、功耗、面积、负载与PVT之间迭代,单项最优通常不是系统最优。12

成立条件 应以实际闭环应用和版后寄生为验收对象

出处

2 本教材 · 2 处引用
  1. 1

    模拟CMOS集成电路设计

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  2. 2

    CMOS模拟集成电路设计(第3版)

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