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半导体开放世界

差分对

Differential Pair也称 差动对、差分放大器输入级、源耦合对、differential amplifier、source-coupled pair

两只匹配晶体管共享尾电流,把输入差值转换为两支路相反变化的电流;对共模信号的抑制来自对称与高阻尾源,而不是“差分”名称本身。

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速览

约 1 分钟

差分对比较两个输入而不是分别把它们对地放大。平衡时尾电流近似均分;小的差分电压使一边电流增加、另一边等量减少,大输入则把几乎全部尾电流转向一侧。真实共模抑制受尾电流源输出电阻、器件与负载失配、输入共模范围和输出余度限制。

系统理解

约 3 分钟

差分对由两个共享源节点的匹配晶体管、尾电流源和负载组成。把输入写成共同的共模分量与方向相反的差模分量后,可以分别分析两类响应。理想对称、理想尾源条件下,共模变化不会改变支路电流,而差分输入会重新分配固定尾电流;因此电路天然适合抑制同时耦合到两根信号线的干扰。

在平衡点附近,单管跨导把差分电压转换为支路电流变化,差分输出再由负载电阻或有源负载形成电压。半边电路是对称差模激励下的分析工具,不代表真实电路被物理切成两半。随着输入差增大,电流转向关系逐渐非线性,最终一只管接近承载全部尾电流、另一只接近截止;尾电流和过驱动决定小信号线性范围。

输入共模范围由多处余度共同限制:输入管需要保持导通与目标工作区,尾电流源需要顺从电压,上方负载也要保持饱和。输出范围则取决于输入管与负载的叠加余度。提高尾电流、改变器件尺寸或使用级联结构会同时改变gm、噪声、功耗、共模范围和摆幅,不能独立调节单一指标。

有限尾源输出电阻会把共模输入转换为支路电流变化;输入管、负载和布线的失配又会把共模响应转成差分输出,形成有限CMRR与输入失调。有源电流镜负载可把两支路电流合成为单端输出并提高有效跨导,但也引入镜像误差、额外极点和余度约束。源极退化可以扩大线性范围、稳定增益,却降低跨导并增加噪声或面积。

承接共源级与电流镜,向上连接运算放大器、比较器、全差分电路、共模反馈和模拟接口。

公式提示

平衡点附近的差分支路电流差可近似为Δi≈gm·vid;电阻负载的双端低频增益常写为Av,d≈−gmRD。定义CMRR=|Ad/Ac|,实际Ad、Ac与输出定义、负载、尾源和失配有关。

关键参数

关键参数
参数单位含义
尾电流与输入管过驱动A / V决定平衡点gm、功耗和大信号电流转向范围
差模增益 Ad 与共模增益 AcV/V分别衡量所需信号和共模扰动到输出的转换
输入共模范围 ICMRV保持输入管、尾源和负载处于规定工作区的输入共模区间
输入失调与CMRRV / ratio量化失配导致的等效输入误差和共模抑制能力
输入参考噪声与带宽V/√Hz / Hz由输入管、负载、尾源和寄生动态共同决定

常见误区

  • 认为差分对只响应输入差值,因此共模增益必然为零
  • 认为尾电流恒定就能保证任意大输入下保持线性
  • 认为半边电路可用于任何非对称负载或任意共模激励
  • 认为增大器件面积只会改善失配,不会增加电容、面积和速度代价
  • 认为有源电流镜负载只是一个理想电阻,不会引入误差与动态节点

工程深入

16 条结论 · 1 道例题

差模与共模分解

定义

差分对比较两个输入而不是各自对地放大

两个输入可分解为平均共模电压vcm与差分电压vid;差分对的目标是高增益响应vid,同时尽量减小vcm到差分输出的转换。12

vcm=(vin1+vin2)/2;vid=vin1−vin2

vcm
输入共模电压,单位 V
vid
输入差模电压,单位 V

成立条件 必须明确输出是单端还是双端;共模和差模增益的定义需使用一致幅值约定

机制

平衡时尾电流在两支路间近似均分

对匹配输入管且vin1=vin2,电路对称使两管具有相同VGS和漏电流,理想尾电流ISS因此各分得ISS/2。12

ID1=ID2≈ISS/2

ISS
差分对尾电流,单位 A

成立条件 负载和器件必须对称;忽略失调、噪声和有限输出电阻引起的静态偏差

机制

差分输入重新分配近似固定的尾电流

当vin1相对vin2升高时,第一支路电流增加、第二支路电流减少;在理想尾源下两者之和近似不变,信号由总电流变化转化为电流分配变化。12

成立条件 尾源在输入共模与输出变化期间保持工作区;大输入时其中一管可接近截止

边界

差分结构不自动保证共模完全消失

理想对称与无限尾源输出电阻才能使共模到差分输出的转换为零;有限尾阻、负载不对称、器件失配和布线耦合都会形成非零共模增益。12

成立条件 共模抑制必须按频率和工作点测量;电源扰动与输入共模扰动不是完全相同的测试

小信号增益与大信号转向

公式

平衡点附近的电流差斜率由gm决定

在小差分输入下,两支路电流变化方向相反,电流差对vid的局部斜率约为单管平衡跨导gm。12

Δi = ID1−ID2 ≈ gm·vid

Δi
两支路漏电流之差,单位 A

成立条件 输入管匹配且处在目标工作区;gm取每管偏置ISS/2处的值;符号随vid和电流差定义变化

公式

电阻负载把差分电流转换为差分电压

两只相等电阻负载把方向相反的支路电流变化转换为方向相反的输出变化,双端差分电压增益在简单低频模型下约为−gmRD。12

Ad = vod/vid ≈ −gmRD

Ad
双端差模电压增益,单位 V/V
RD
每侧负载电阻,单位 Ω

成立条件 忽略器件ro与负载电容;采用vid=vin1−vin2、vod=vout1−vout2的幅值约定

例题:动手算一次教学假设,可复算

对称差分对每管平衡gm=1.5 mS、每侧RD=20 kΩ,若vid=4 mV,简单低频模型的双端输出约是多少?

已知

  1. gm=1.5 mS
  2. RD=20 kΩ
  3. vid=4 mV
  4. 忽略ro、尾阻有限值与电容

步骤

  1. Ad≈−gmRD=−1.5 mS×20 kΩ=−30 V/V,先求双端差模电压增益
  2. vod≈Ad·vid=−30×4 mV=−120 mV,小信号输入乘以局部增益
结果 双端输出差约−120 mV。

负号表示按所选端口定义输出差与输入差反相;每个单端输出的变化量在完全对称时约为一半。

不能外推到 必须先确认4 mV位于线性范围内;真实增益还受ro、负载、共模点、失配和带宽影响。

机制

大差分输入会把尾电流转向单侧

随着|vid|增大,一侧过驱动增加而另一侧减小,电流差曲线逐渐压缩;达到足够大输入时,一侧接近ISS、另一侧接近零,增量跨导也趋于下降。12

成立条件 转向尺度依器件工作区和过驱动;弱反型与强反型具有不同精确函数

边界

尾电流增大不会无条件扩大线性和增益

在器件尺寸固定时,增大尾电流会改变过驱动与gm,可能扩大电流转向尺度并提高速度,但同时增加功耗、噪声权衡和余度需求;若保持其他变量不同,结论不能只按ISS比例外推。12

成立条件 比较时必须说明保持W/L、gm/ID还是VOV不变;热与电迁移约束可能限制电流密度

共模范围与非理想

边界

输入共模下限由输入管和尾源共同限定

共模电压过低时,输入管缺少所需VGS或尾电流源缺少顺从电压;任一器件离开目标工作区,尾电流、gm和增益都会改变。12

成立条件 下限表达式依NMOS/PMOS输入极性和尾源结构;PVT角落需分别核对

边界

输入共模上限与负载、输出静态点耦合

共模电压过高会抬升输入管源端与漏端所需电位,可能压缩输入管或上方负载的饱和余度;因此ICMR不是只由输入管阈值决定。12

成立条件 有源镜像负载、折叠级联和轨到轨输入级的边界不同;还需检查输出目标摆幅

公式

CMRR比较差模增益与共模泄漏

共模抑制比定义为差模增益幅值与共模增益幅值之比;它把“有用差值响应”和“共同扰动泄漏”放在同一输出口径比较。12

CMRR = |Ad/Ac|;CMRRdB = 20log10|Ad/Ac|

Ac
共模到指定输出的电压增益,单位 V/V
CMRRdB
分贝表示的共模抑制比,单位 dB

成立条件 Ad与Ac必须在同一频率、偏置和输出定义下取得;Ac接近零时测量噪声与失配会限制可报告值

机制

失配把共模与偏置误差转换为差分输出

输入管阈值、跨导因子、负载与互连不一致会破坏两侧响应的抵消,即使输入相等也可能出现输出差;可把该误差折算为使输出归零所需的输入失调电压。12

成立条件 随机失配和系统梯度应分别建模;输入失调随共模、电源、温度和输出负载变化

退化、负载与系统应用

机制

源极退化扩大局部线性范围

每支路加入相等源极退化后,电流变化产生的源端电压反馈抵消部分输入差,使电流转向曲线更缓、更线性;代价是有效跨导和电压增益下降。12

成立条件 退化元件需匹配;电阻热噪声、面积与余度也会增加;MOS退化器件具有自身非线性

机制

有源电流镜负载完成单端输出转换

镜像负载把一侧支路电流复制到输出侧,与另一支路反向变化相加,使差分输入产生较大的单端输出电流;输出增益随后由该等效跨导与输出电阻共同决定。12

成立条件 镜像支路的极性和增益定义必须核对;有限镜像带宽会引入额外极点

电流镜 用于:有源负载利用电流镜完成差分到单端电流合成。
关联

差模半边分析以共源级为基础

在纯差模、对称器件和对称负载条件下,对称平面可视为交流虚地,每一半近似为共源级;这使gm、负载、ro和极点的分析可复用。12

成立条件 共模分析的对称平面边界条件不同;镜像有源负载或显著不对称结构需回到完整电路

共源放大器 前置:共源级提供差分对半边电路的跨导与负载分析基础。
边界

差分对验收必须跨越直流、交流与统计三层

直流层核对尾电流、ICMR、输出范围与失调,交流层核对差模/共模增益、噪声和带宽,统计层核对PVT与随机失配;任何单层通过都不能证明输入级完整可用。12

成立条件 输出负载与后级共模必须进入测试条件

出处

2 本教材 · 2 处引用
  1. 1

    模拟CMOS集成电路设计

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  2. 2

    CMOS模拟集成电路设计(第3版)

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