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用栅压控制沟道导电的场效应晶体管。

功率MOSFET把大量垂直MOS元胞并联，以栅极电场控制多数载流子从源极经沟道和漂移区流向漏极，在耐压、导通电阻、电荷、开关速度与热之间折中。

SiC MOSFET功率循环必须把沟道阈值漂移、体二极管测温、负栅压关断、快速冷却与导电模式分开控制，否则RDS(on)或压降变化会同时混入温度和退化。

SiC和GaN利用高临界电场把高压漂移区做得更薄、更高掺杂，从器件层降低导通与电荷，但SiC垂直MOSFET和GaN横向HEMT的沟道、反向导通、驱动与可靠性边界并不相同。

栅极驱动把控制器逻辑转换为受控的栅电荷流和局部栅源电压，并在高共模、高di/dt环境中同时承担隔离、时序、误导通抑制与故障保护。

以电子或空穴形成反型沟道、在极性和体区连接上互补的两类四端MOSFET。

当源漏结电场在短沟道中显著参与控制源端势垒时，MOSFET偏离一维长沟道栅控模型而出现的一组静电、输运与高场非理想效应。

把薄硅体竖立成鳍并让栅极控制鳍的两侧或两侧加顶部，以更短的静电自然长度抑制漏端对源端势垒影响的多栅MOSFET。

让栅介质与栅电极环绕纳米线、纳米片或纳米带沟道全部外周，以进一步削弱漏端耦合并在垂直堆叠中调节驱动能力的多栅MOSFET架构。

Si MOSFET、SiC MOSFET、二极管和IGBT的寄生结构、电场分布与材料参数不同，抗宇宙射线能力必须由同条件截面和失效机理比较，再通过降场、抑制寄生增益、限流与任务降额改善。