设备
光刻、沉积、刻蚀、注入、CMP 与测试设备,是先进制造能力的载体。
晶圆制造
- 曝光
让掩模产生的衍射级次经过有限数值孔径的投影系统,在晶圆光刻胶中形成可被材料阈值读取的空间光强分布。
基础 - CVD
把气态前驱物输送到晶圆表面,经吸附与化学反应生成固态薄膜并排出副产物的成膜方法。
基础 - PVD
通过蒸发或离子轰击从固体源释放材料,使其跨越低压空间并在晶圆上凝聚成膜的物理传输方法。
基础 - 刻蚀
在掩模约束下,用液相反应或等离子体中的自由基—离子协同,选择性地移走目标材料并把平面图形转成三维结构。
基础 - 离子注入
把经过质量选择和加速的离子按规定剂量、能量与角度送入晶圆,并由后续退火形成可工作的掺杂剖面。
基础 - CMP
让浆料化学先改变表面可去除性,再由抛光垫、磨粒、压力和相对运动选择性移除高处材料,获得可继续叠层的平面。
基础 - ALD
把互不直接混合的前驱物按脉冲—吹扫顺序送入腔室,利用表面自限制半反应逐周期累积薄膜。
进阶
封装与测试
- ATE
按测试程序向待测器件施加精确定时的激励并测量响应,完成判定、分档、追踪与量产数据回传的自动化测试系统。
基础