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半导体开放世界
第 2 环 · 上游支撑

设备

光刻、沉积、刻蚀、注入、CMP 与测试设备,是先进制造能力的载体。

晶圆制造

  • 曝光

    让掩模产生的衍射级次经过有限数值孔径的投影系统,在晶圆光刻胶中形成可被材料阈值读取的空间光强分布。

    基础
  • CVD

    把气态前驱物输送到晶圆表面,经吸附与化学反应生成固态薄膜并排出副产物的成膜方法。

    基础
  • PVD

    通过蒸发或离子轰击从固体源释放材料,使其跨越低压空间并在晶圆上凝聚成膜的物理传输方法。

    基础
  • 刻蚀

    在掩模约束下,用液相反应或等离子体中的自由基—离子协同,选择性地移走目标材料并把平面图形转成三维结构。

    基础
  • 离子注入

    把经过质量选择和加速的离子按规定剂量、能量与角度送入晶圆,并由后续退火形成可工作的掺杂剖面。

    基础
  • CMP

    让浆料化学先改变表面可去除性,再由抛光垫、磨粒、压力和相对运动选择性移除高处材料,获得可继续叠层的平面。

    基础
  • ALD

    把互不直接混合的前驱物按脉冲—吹扫顺序送入腔室,利用表面自限制半反应逐周期累积薄膜。

    进阶

封装与测试

  • ATE

    按测试程序向待测器件施加精确定时的激励并测量响应,完成判定、分档、追踪与量产数据回传的自动化测试系统。

    基础