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半导体开放世界

采样保持

Sample and Hold(S/H)也称 采样/保持、采样保持电路、跟踪保持、track-and-hold、sample-and-hold

采样保持电路在获取期让电容跟踪输入,在保持期隔离输入并保存某一时刻的电荷;建立、热噪声、开关非线性、注入、馈通、漏电与孔径不确定性共同决定保存值是否可信。

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速览

约 1 分钟

最小采样保持单元只有开关和电容:开关闭合时,电容经源阻抗与导通电阻向输入充电;开关断开后,电容电压被后级读取。电容不是理想记忆体,开关也不是理想导线,因此更快、更低噪声和更高线性之间必须联合折中。

系统理解

约 3 分钟

采样保持首先完成两种状态的切换。获取或跟踪阶段中,输入驱动器、源阻抗、MOS开关导通电阻与保持电容形成动态网络;若近似一阶,阶跃误差按指数衰减。保持阶段中,输入被隔离,后级在有限时间内使用电容上的电压。所谓“保持”不是永远不变,而是在规定保持时间内让总误差低于预算。

开关导通电阻随输入和栅源电压变化,会把充电时间常数变成信号相关量并产生失真。互补传输门可在较宽输入范围内降低导通电阻变化,自举开关则近似保持恒定栅源电压以进一步改善线性;二者都受到器件耐压、时钟生成、寄生和可靠性限制。

开关断开时,沟道电荷在源漏两侧重新分配,栅极时钟还会经重叠电容耦合到保持节点,分别形成电荷注入和时钟馈通。底板采样通过安排电容两端的断开顺序,使敏感高阻节点在输入相关开关动作前先隔离,可减小输入相关误差。导通电阻的热噪声在采样电容上形成约kT/C的均方电压噪声;增大电容降低这一噪声,却增加驱动负担、面积和建立时间。

保持期间的漏电、介质吸收、输出缓冲偏置电流和开关结漏会造成下垂,时钟孔径延迟及其随机抖动会把输入斜率转换为幅度误差。完整设计必须从目标位数或允许误差倒推获取时间、采样电容、开关尺寸、驱动器带宽、时钟质量和保持时长,并在满幅阶跃、高频正弦、PVT、失配和版图后寄生下验证。

承接MOS开关、噪声和频率响应,向上连接开关电容电路、比较器、ADC、时间交织和离散时间信号处理。

公式提示

一阶阶跃建立误差约为ε=e^(−tacq/ReqCH),故达到相对误差ε所需tacq≈ReqCH·ln(1/ε);理想采样热噪声均方值约为kT/CH。两式分别依赖一阶线性与热平衡采样近似。

关键参数

关键参数
参数单位含义
保持电容 CHF同时影响kT/C噪声、保持下垂、面积和驱动建立
等效获取电阻 ReqΩ包含信号源、驱动器和开关的动态输出电阻
获取时间与保持时间s分别规定建立窗口和电荷保存窗口
孔径延迟与孔径抖动s rms描述有效采样时刻的确定性偏移和随机不确定性
保持阶跃、下垂率与馈通V / V/s量化从跟踪到保持的跳变及保持期间漂移

常见误区

  • 认为开关断开后电容电压会无限期完全不变
  • 认为增大开关尺寸只会加快采样而不会增加注入、馈通和驱动负担
  • 认为kT/C噪声可仅靠降低开关电阻消除
  • 认为采样率满足奈奎斯特条件就无需检查获取建立和孔径抖动
  • 认为自举开关可无条件跨越电源轨且没有器件可靠性边界

工程深入

16 条结论 · 1 道例题

状态与基本机制

定义

采样保持把连续输入分成获取与保持两个状态

获取期中开关闭合、保持电容跟踪输入;保持期中开关断开,电容保存切换瞬间附近的电荷供后级使用。12

成立条件 保持只在规定时间和误差预算内成立;实际有效采样时刻由开关与时钟动态决定

机制

获取速度由驱动路径和保持电容共同决定

信号源、驱动器输出阻抗与开关导通电阻共同向保持电容充电;若可近似为一阶网络,残余阶跃误差随时间指数下降。12

ε≈e^(−tacq/ReqCH)

ε
相对剩余建立误差
tacq
获取时间,单位 s
Req
等效驱动与开关电阻,单位 Ω
CH
保持电容,单位 F

成立条件 开关电阻在考察范围内近似线性;忽略高阶极点、压摆与寄生耦合

边界

MOS开关导通电阻会随输入电平变化

固定栅极时钟下,输入改变会改变开关的栅源过驱动与体效应,因此导通电阻和充电速度具有信号相关性并可能产生失真。12

成立条件 输入必须保持在器件允许电压与工作区内;NMOS、PMOS和传输门的变化规律不同

机制

互补开关用相反电平依赖减小导通电阻变化

并联NMOS与PMOS形成传输门,可让两类器件在输入摆幅不同区域互补导通,扩展可传输范围并降低总导通电阻的信号依赖。12

成立条件 需要互补时钟并考虑两路关断偏差;仍存在注入、馈通和器件失配

机制

自举开关以近恒定栅源电压改善线性

自举网络使采样MOS的栅极随输入移动,从而近似保持VGS和导通电阻稳定,降低宽输入摆幅下的信号相关失真。12

成立条件 自举电压不得违反栅氧与结耐压;启动、漏电、寄生和时钟生成必须验证

断开误差与噪声

机制

沟道电荷注入在关断时改变保持电压

开关导通时沟道内储存的电荷在关断后流向源漏两端,其中进入高阻保持节点的部分会在CH上产生电压阶跃。12

ΔV≈ΔQ/CH

ΔQ
进入保持节点的净注入电荷,单位 C

成立条件 电荷分配受两侧阻抗和时钟边沿影响;不能无条件假定恰好各分一半

机制

时钟馈通通过重叠电容耦合到保持节点

栅极时钟边沿经栅漏或栅源重叠电容形成电容分压,在采样输出上产生与时钟幅度、寄生和保持电容相关的跳变。12

成立条件 一级近似可表现为固定失调;寄生和节点电压变化会使真实误差更复杂

公式

采样热噪声由kT/C而非仅由开关电阻决定

导通开关的热噪声经RC网络达到热平衡并在关断时冻结,保持电容上的理想均方电压噪声约为kT/CH;减小电阻主要改变建立时间而非最终平衡噪声。12

vn,rms≈√(kT/CH)

k
玻尔兹曼常数
T
绝对温度,单位 K

成立条件 采用理想一阶热平衡采样模型;实际还包含驱动器、开关非线性和后级噪声

机制

底板采样用断开顺序隔离输入相关误差

先断开连接敏感高阻节点的一侧,再断开输入侧,可使后一次开关扰动主要落在低阻节点,降低输入相关电荷注入与衬底耦合。12

成立条件 需要受控相位顺序和非重叠时间;不能消除所有寄生、失配与热噪声

时间与保持边界

边界

保持期间会因漏电与负载产生下垂

开关结漏、介质漏电、缓冲器输入电流和寄生通路持续改变保持电容电荷,使输出随保持时间漂移。12

dV/dt≈Ileak/CH

Ileak
保持节点净漏电流,单位 A

成立条件 下垂率依赖电压、温度、工艺和电路状态;短时保持可忽略不代表长时保持安全

边界

孔径抖动把输入斜率转换为幅度误差

有效采样时刻的随机偏移乘以该时刻的输入斜率形成采样电压误差,因此高频或大幅度输入比慢变化输入更受时钟抖动限制。12

Δv≈(dv/dt)·Δt

Δt
采样时刻偏差,单位 s

成立条件 采用小时间误差线性化;总抖动需合并外部时钟和内部孔径贡献

定义

获取时间、孔径延迟和建立时间不是同一指标

获取时间描述从保持返回跟踪后达到精度所需窗口,孔径延迟描述时钟事件到有效采样时刻的偏移,建立时间则描述输出进入指定误差带的总过程。12

成立条件 必须注明误差带和测试阶跃;不同数据手册可能采用不同起止点

公式

位数目标可反推一阶获取时间

对满幅阶跃和一阶RC网络,若要求残余误差不超过半个N位LSB,所需时间约为ln(2^(N+1))个时间常数。12

tacq≥ReqCH·ln(2^(N+1))

N
目标位数,单位 bit

成立条件 教学例假设满幅阶跃、单极性N位系统和一阶线性建立;不包含压摆、高阶极点、噪声、注入和馈通

例题:动手算一次教学假设,可复算

等效驱动与开关电阻为1.0 kΩ、保持电容为10 pF时,12位系统对满幅阶跃建立到0.5 LSB至少需要多少一阶获取时间?

已知

  1. Req=1.0 kΩ
  2. CH=10 pF
  3. N=12 bit
  4. 一阶线性RC建立

步骤

  1. τ=ReqCH=1.0 kΩ×10 pF=10 ns,先得到获取路径的一阶时间常数
  2. ln(2^(12+1))=13ln2≈9.01,半LSB相对误差对应1/8192
  3. tacq≥9.01×10 ns≈90 ns,时间常数乘以所需指数衰减倍数
结果 理想一阶模型下至少约90 ns。

该值是获取窗口的下限估算,不是完整采样率或ADC转换时间。

不能外推到 若驱动器压摆受限、存在高阶极点、开关电阻随信号变化或还需分配噪声和注入误差,必须增加裕量并仿真。

系统连接与取舍

边界

增大保持电容同时降低噪声并增加驱动代价

更大的CH降低kT/C噪声和给定漏电下的下垂,却增加面积、充放电能量、开关尺寸需求和获取时间,不能单方向最大化。12

成立条件 驱动器功耗和开关尺寸可随电容变化;寄生与匹配也随版图尺寸改变

关联

采样保持是ADC前端而非独立理想模块

ADC的输入驱动、采样开关、电容、比较器回踢、参考切换和转换时序共享同一误差预算,采样保持必须在真实后级负载下验证。12

成立条件 不同ADC架构可复用采样电容或分离保持缓冲;源阻抗与采样时钟必须纳入条件

模数转换器 用于:ADC先固定输入样本,再完成量化与编码。
比较器 影响:保持节点稳定性和回踢隔离影响比较判决。
关联

采样保持验收必须覆盖静态阶跃和动态正弦

满幅阶跃检查获取建立和保持阶跃,高频正弦检查带宽、线性与孔径误差,长保持检查下垂;三类测试不能相互替代。12

成立条件 测试需覆盖输入共模、幅度、频率、PVT与失配

开关电容电路 后续:采样与电荷保存是开关电容电路的基本动作。

出处

2 本教材 · 2 处引用
  1. 1

    模拟CMOS集成电路设计

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  2. 2

    芯片设计:CMOS模拟集成电路设计与仿真实例(基于Cadence IC 617)

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