晶圆制造
如何把电路图形逐层制造到晶圆上?
Wafer Fabrication
围绕氧化、沉积、光刻、刻蚀、掺杂、CMP 与互连,拆解晶圆制造闭环。
29 个知识点 · 9 个分支
从这里开始
沿“沉积—光刻—刻蚀—掺杂—平坦化”循环理解最清晰。
- 1. 晶圆
- 2. 光刻胶
- 3. 曝光
- 4. 刻蚀
- 5. 离子注入
- 6. 金属互连
- 7. 洁净室
- 8. 单晶硅
全部知识点
晶圆制造
29 个知识点晶圆与洁净环境
薄膜形成
图形化
- 光刻胶把空间光强分布转化为显影溶解速率差,并在晶圆上形成可承受后续刻蚀或注入的三维聚合物图形。基础
- 曝光让掩模产生的衍射级次经过有限数值孔径的投影系统,在晶圆光刻胶中形成可被材料阈值读取的空间光强分布。基础
- 显影让显影液选择性溶解光刻胶中化学状态不同的区域,并通过冲洗、干燥把潜像固定成可量测的三维胶形。基础
- 掩模版把签核版图转换为受控振幅、相位和位置的可重复光学元件,并用缩小投影把同一曝光场写到晶圆多个位置。基础
- 对准与套刻把当前曝光层的坐标映射到晶圆参考层,并用曝光后量测、误差模型和前馈反馈把层间位置偏差限制在器件连接预算内。进阶
- 多重图形化把一次曝光无法分辨的目标版图拆成多次独立成像,或用心轴与间隔层进行空间倍频,再通过套刻、刻蚀和切割重组为最终图形。专深
- 极紫外光刻用13.5nm光子、真空反射光路和反射掩模进行高分辨投影,同时把光源功率、掩模缺陷、光子统计和材料反应作为同一系统预算。专深
- 纳米压印的热压、紫外与软复制机理纳米压印不是缩短波长的成像,而是让低黏度或软化材料填充模板空腔、固化并脱模,因此分辨率、吞吐量和缺陷由流变、界面和复制时序共同决定。专深
- 纳米压印模板、胶体界面与抗粘脱模压印模板既是纳米几何母版也是反复接触表面,材料刚度、热膨胀、表面能、抗粘层、污染和脱模路径共同决定保真度及模板寿命。专深
- OPC 与计算光刻用经过晶圆数据校准的光学—材料模型反推掩模与照明,使目标图形在剂量、焦点、掩模和刻蚀扰动下仍能稳定印到晶圆。专深
材料去除
掺杂与热处理
平坦化与互连
工艺整合与良率
外延与功率工艺
化合物与 LED 工艺
这个领域的学习路线
晶圆制造入门20 站入门 – 专深入门–专深
全部学习路线 →晶圆 → 氧化/沉积 → 光刻 → 刻蚀 → 注入 → 退火 → CMP → 互连
从硅到芯片30 站入门 – 进阶入门–进阶材料与器件 → 设计 → 制造 → 封测 → 产业角色 → 产品
半导体表征:从信号产生到根因证据10 站入门 – 专深入门–专深SEM/TEM/AFM形貌尺寸 → XPS/XRD/Raman/AES表面与结构 → APT/SIMS三维与深度成分 → 关联验证
半导体材料:从晶体坐标到缺陷资格17 站入门 – 专深入门–专深材料属性向量 → 晶胞与晶向晶面 → 点线面体缺陷 → 多方法计量 → 器件与可靠性验证
电源完整性:从动态负载到系统误码15 站基础 – 专深基础–专深CMOS电流 → 目标阻抗 → VRM/平面/封装 → 去耦与反谐振 → SSN → 抖动与误码
功率硅晶圆:从高阻单晶到背面器件19 站入门 – 专深入门–专深CZ/FZ/NTD衬底 → 外延与自掺杂 → 薄晶圆背面注入激活 → 晶圆测试与封装交接