晶圆制造入门

单晶硅与洁净室条件下，先形成氧化层与薄膜，为图形化做准备。CVD 与 ALD 是两种主流薄膜沉积路线，后者以自限制反应逐层生长、共形性极好。

1. 1单晶硅基础以籽晶为结构模板，把高纯多晶硅转化为具有连续晶格取向、受控掺杂和可加工直径的硅锭。
2. 2晶圆入门由半导体单晶锭经定向、切片、边缘整形、损伤去除、抛光、清洗和检验得到的圆片衬底。
3. 3洁净室入门通过过滤、循环气流、压差、微环境、材料与人员纪律控制空气悬浮粒子及关键环境变量的制造空间。
4. 4热氧化基础让氧化剂穿过既有 SiO₂ 并在 Si/SiO₂ 界面消耗硅、继续长膜的反应—输运工艺。
5. 5CVD基础把气态前驱物输送到晶圆表面，经吸附与化学反应生成固态薄膜并排出副产物的成膜方法。
6. 6ALD进阶把互不直接混合的前驱物按脉冲—吹扫顺序送入腔室，利用表面自限制半反应逐周期累积薄膜。

光刻定义窗口，再经刻蚀与注入把设计图形与掺杂写入晶圆。

1. 7光刻胶基础把空间光强分布转化为显影溶解速率差，并在晶圆上形成可承受后续刻蚀或注入的三维聚合物图形。
2. 8OPC 与计算光刻专深用经过晶圆数据校准的光学—材料模型反推掩模与照明，使目标图形在剂量、焦点、掩模和刻蚀扰动下仍能稳定印到晶圆。
3. 9多重图形化专深把一次曝光无法分辨的目标版图拆成多次独立成像，或用心轴与间隔层进行空间倍频，再通过套刻、刻蚀和切割重组为最终图形。
4. 10极紫外光刻专深用13.5nm光子、真空反射光路和反射掩模进行高分辨投影，同时把光源功率、掩模缺陷、光子统计和材料反应作为同一系统预算。
5. 11掩模版基础把签核版图转换为受控振幅、相位和位置的可重复光学元件，并用缩小投影把同一曝光场写到晶圆多个位置。
6. 12曝光基础让掩模产生的衍射级次经过有限数值孔径的投影系统，在晶圆光刻胶中形成可被材料阈值读取的空间光强分布。
7. 13对准与套刻进阶把当前曝光层的坐标映射到晶圆参考层，并用曝光后量测、误差模型和前馈反馈把层间位置偏差限制在器件连接预算内。
8. 14显影基础让显影液选择性溶解光刻胶中化学状态不同的区域，并通过冲洗、干燥把潜像固定成可量测的三维胶形。
9. 15刻蚀基础在掩模约束下，用液相反应或等离子体中的自由基—离子协同，选择性地移走目标材料并把平面图形转成三维结构。
10. 16离子注入基础把经过质量选择和加速的离子按规定剂量、能量与角度送入晶圆，并由后续退火形成可工作的掺杂剖面。
11. 17退火基础用受控的时间—温度—气氛轨迹驱动缺陷重排、固相再结晶和掺杂激活，同时限制不希望发生的扩散与材料退化。

CMP 提供可叠层平面，多层金属把器件连成电路网络。

1. 18CMP基础让浆料化学先改变表面可去除性，再由抛光垫、磨粒、压力和相对运动选择性移除高处材料，获得可继续叠层的平面。
2. 19金属互连基础由接触、通孔和多层导线把晶体管端口连接成电路，同时承担信号、电源、时钟与片上全局通信。
3. 20FEOL/BEOL基础以器件形成、接触过渡和多层互连为主线组织晶圆制造的FEOL、MOL与BEOL分段坐标。