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结论11
MOSFET 把表面反型变成可用沟道在「MOSFET」中
MOSFET 饱和与 BJT 饱和具有不同物理含义在「MOSFET」中
短沟道 MOSFET 的电流饱和常由高场速度限制主导在「MOSFET」中
MOSFET本质上是四端器件在「NMOS 与 PMOS」中
FinFET是沿鳍长导电的多栅MOSFET在「FinFET」中
功率MOSFET用垂直并联元胞传导大电流在「功率 MOSFET」中
Buck开关损耗必须回到具体MOSFET与布局在「功率 MOSFET」中
IGBT与MOSFET的分界由系统损耗决定在「绝缘栅双极型晶体管」中
SiC功率MOSFET仍是栅氧控制的垂直多数载流子器件在「SiC 与 GaN 宽禁带功率器件」中
UIS用未钳位电感迫使MOSFET进入雪崩在「短路与雪崩鲁棒性」中
Si功率MOSFET体区形成寄生npn触发路径在「功率器件宇宙射线敏感性与抑制」中