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半导体开放世界

统计过程控制

Statistical Process Control(SPC)也称 统计制程控制、控制图、过程能力

按时间和抽样层级监测均值与波动,区分过程是否稳定以及稳定分布是否满足产品规格。

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速览

约 1 分钟

规格限回答产品是否合用,控制限回答过程是否仍保持既有统计行为;数值没超规格,过程也可能已经发生非随机漂移。

系统理解

约 2 分钟

SPC把按顺序取得的参数或样本统计量与稳定基线比较,寻找特殊原因引起的变化。均值和散布都需要监测;晶圆内、晶圆间、批次间以及设备间的数据不应无条件混为同一总体。

控制图的界限由被绘制统计量的分布和基线估计决定,不能用产品规格限替代。稳定后可用过程能力指数比较分布宽度与规格窗口:Cp描述宽度,Cpk还反映偏心;二者均不能代替时间稳定性检验。正态、独立性、样本量和测量口径都需检查,非正态分布也不自动等于过程失控。

承接制造良率模型与既有工艺计量,把稳定性监测和规格符合性分开;寿命分布、删失与资格样本继续由可靠性统计节点处理。

关键参数

关键参数
参数单位含义
μ和σ与被测参数相同过程均值和个体散布
USL和LSL与被测参数相同上、下规格限
UCL和LCL与图上统计量相同上、下控制限
Cp和Cpk1在定义假设下描述过程能力与偏心

常见误区

  • 把控制限当成客户规格。
  • 认为Cp很高就证明过程稳定。
  • 所有点在控制限内就一定没有异常。
  • 把个体标准差直接用作样本均值标准误。

工程深入

12 条结论 · 2 道例题

监测对象与界限

定义

控制图保留时间顺序以发现过程行为变化

控制图把质量特性或样本统计量按时间或样本序号排列,并与稳定基线比较;同一批数值的直方图只显示分布,不保留形成趋势和突变的先后顺序。12

成立条件 时间标签和抽样规则需一致;控制图不自动指出异常的物理根因。

机制

相同均值不能证明过程散布相同

两组数据可以具有相同均值却有不同散布;对线宽、膜厚和方块电阻等参数,需要同时追踪位置与波动,不能只通过调均值就保证规格外比例变小。13

成立条件 比较前须统一测量单位、抽样层级及参数定义。

边界

控制限和规格限回答两个不同问题

控制限用于判断过程是否继续表现为稳定基线所描述的统计行为;规格限来自产品用途与设计要求,用于判断输出是否合用,因此两者不能直接互换。12

成立条件 控制限的估计需说明历史数据和统计量;规格限变化不等于过程本身已变化。

能力与偏心

公式

Cp比较双侧规格宽度与六倍个体标准差

在稳定过程和相应分布假设下,Cp等于上下规格限之差除以6σ;它衡量分布宽度相对规格窗口的程度,但不包含均值相对窗口中心的位置。23

Cp=USL−LSL6σC_p=\frac{\mathrm{USL}-\mathrm{LSL}}{6\sigma}
Cp = (USL − LSL)/(6σ)
CpC_p
过程能力指数,p为沿用行业记号的单字母下标无量纲
USL\mathrm{USL}
上规格限单位 与被测参数相同
LSL\mathrm{LSL}
下规格限单位 与被测参数相同
σ\sigma
个体参数的过程标准差单位 与被测参数相同

成立条件 采用双侧规格,USL>LSL、σ>0;通常的正态良率解释还需分布近似正态,有限样本估计有不确定性。

公式

Cpk取均值到两侧规格距离中的较小者

Cpk把均值到上、下规格限的距离分别除以3σ后取较小值,因此散布相同但均值偏向某一规格边界时,Cpk会下降;若均值越出规格,它还可为负。23

Cpk=min⁡(USL−μ3σ,μ−LSL3σ)C_{\mathrm{pk}}=\min\left(\frac{\mathrm{USL}-\mu}{3\sigma},\frac{\mu-\mathrm{LSL}}{3\sigma}\right)
Cpk = min[(USL − μ)/(3σ), (μ − LSL)/(3σ)]
CpkC_{\mathrm{pk}}
包含偏心影响的过程能力指数无量纲
USL\mathrm{USL}
上规格限单位 与被测参数相同
LSL\mathrm{LSL}
下规格限单位 与被测参数相同
μ\mu
过程均值单位 与被测参数相同
σ\sigma
个体参数的过程标准差单位 与被测参数相同

成立条件 USL>LSL、σ>0;能力解释需过程稳定,正态尾部解释需相应分布假设。

例题:动手算一次教学假设,可复算

教学能力比较:某稳定膜厚过程的LSL=94 nm、USL=106 nm,假设μ=102 nm、σ=1 nm,求Cp和Cpk。

已知

  • 数值为教学假设,视μ与σ已知,不由有限样本估计。
  • 采用双侧规格及近似正态、稳定过程。

步骤

  1. Cp = (106−94)/(6×1) = 2比较规格宽度与六倍标准差。
  2. 上侧 = (106−102)/3 = 1.333…;下侧 = (102−94)/3 = 2.666…分别计算距上下规格的归一化距离。
  3. Cpk = min(1.333…, 2.666…) ≈ 1.33取较小侧,并保留三位有效数字。
结果 Cp=2,Cpk约1.33。

过程散布较窄,但均值偏向上限,不能由Cp=2忽略偏心。

适用边界 这些指数不是控制图稳定性检验,也不是直接测得的缺陷率或客户放行标准。

边界

居中时Cp与Cpk相等但不代表以目标为中心

由双侧能力定义可知,均值位于规格中点时Cp=Cpk;如果工程目标不在规格中点,二者相等仍不能说明均值已经对准工程目标。23

成立条件 USL>LSL、σ>0;规格中点与另行规定的目标值必须分别记录。

边界

能力充足和统计受控不能由同一个数替代

较高的Cp或Cpk描述分布相对规格的位置与宽度,并不能单独证明过程随时间稳定;数据可以仍在规格内,却已经出现持续漂移或其他非随机模式。12

成立条件 先核对时间稳定性再解释能力;不以某个统一阈值替代具体控制方案或客户规格。

抽样与异常判断

公式

均值图的控制宽度应使用均值统计量的标准差

对每组n个独立同分布测量的均值,已知个体标准差σ时,均值标准差为σ/√n;三标准差均值图应围绕μ使用这一标准误,而不是直接使用个体的σ。2

σxˉ=σn;UCL=μ+3σn;LCL=μ−3σn\sigma_{\bar x}=\frac{\sigma}{\sqrt n};\quad\mathrm{UCL}=\mu+\frac{3\sigma}{\sqrt n};\quad\mathrm{LCL}=\mu-\frac{3\sigma}{\sqrt n}
σ均值 = σ/√n;UCL = μ + 3σ/√n;LCL = μ − 3σ/√n
σxˉ\sigma_{\bar x}
样本均值标准差单位 与被测参数相同
σ\sigma
个体过程标准差单位 与被测参数相同
nn
每组独立测量个数无量纲
μ\mu
已知稳定过程均值单位 与被测参数相同
UCL\mathrm{UCL}
均值图上控制限单位 与被测参数相同
LCL\mathrm{LCL}
均值图下控制限单位 与被测参数相同

成立条件 各组大小n固定、组内独立同分布,μ与σ视为已知;相关、漂移或由小样本估计界限时需另行处理。

例题:动手算一次教学假设,可复算

教学均值图:稳定过程μ=100 nm、σ=2 nm,每组独立测4次,已知参数条件下三标准差均值控制限是什么?

已知

  • μ=100 nm,σ=2 nm,n=4。
  • 这是已知参数演示,不把4次读数用于估计长期基线。

步骤

  1. σ均值 = 2/√4 = 1 nm独立平均使方差除以n。
  2. UCL = 100+3×1 = 103 nm;LCL = 100−3×1 = 97 nm使用均值标准误构造界限。
结果 均值图控制限为97 nm和103 nm。

若画的是单次个体值,不能沿用这一组均值图界限。

适用边界 未给出产品规格,因此这些控制限不决定产品是否符合用途要求。

机制

均值监测之外还要监测散布

即使均值暂未变化,波动增加也会扩大超规格风险;均值图与极差或标准差图分别追踪位置和散布,所用统计量必须按同一分组定义。12

成立条件 移动极差、组内极差和标准差不是同一统计量,不能直接共用控制限系数。

边界

未超控制限也可能出现非随机异常模式

连续偏在中心线一侧或持续上升等模式,可能在单点尚未超控制限时发出变化信号;解释时需要事先选定规则,并考虑规则增多带来的误报警。12

成立条件 信号表示值得调查,不等于已经证明某一物理根因;不能看完数据后任意挑规则。

边界

非正态不自动证明失控,正态也不证明稳定

正态性描述数值分布形状,受控性描述随时间是否保持稳定统计行为;稳定的非正态过程需要合适界限和能力方法,而一张钟形直方图不能排除时间漂移。2

成立条件 通常Cp与Cpk的正态尾部解释不能无检验地用于偏态分布;也不能仅因非正态就删除有效数据。

边界

抽样应区分晶圆内、晶圆间与设备间的变化

同片不同位置、同批不同晶圆和不同设备的差异可能属于不同层级;SPC方案需明确监测哪一层变化,选择对应样本点和抽样频率,再决定如何分组和建立基线。1

成立条件 本条不给所有工艺统一采样点数;混合层级的数据可能掩盖局部变化或夸大组内散布。

出处

3 份资料 · 21 处引用
  1. 1

    芯片制造:半导体工艺制程实用教程(第6版)

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  2. 2

    NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods: Process Monitoring and Control

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  3. 3

    Integrated Circuit Fabrication: Science and Technology

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