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半导体开放世界

微波负阻：Gunn与IMPATT

比较谷间转移、传播畴和雪崩渡越

适合：
已学半导体能带、漂移和PN结的读者
学完你能：
能说明两种微波负阻的来源，限定频率模型并辨认噪声和热代价。
预计：
约2–3小时

体输运与Gunn畴

必学3 站

从能带与漂移进入多谷转移，再区别畴工作模式。

  1. 1能带基础晶格周期势中电子允许能量 E 随波矢 k 形成的分支集合。
  2. 2漂移基础电场使随机热运动出现非零平均速度，电子与空穴因此形成可测的定向电流。
  3. 3Gunn 器件进阶利用高场谷间转移和负微分迁移率产生微波响应的体效应器件。

雪崩与渡越

必学2 站

由反偏结连接到雪崩产生、漂移相位及微波应用。

  1. 4PN 结基础PN 结是同一半导体中 p 型与 n 型区域形成的空间掺杂过渡，其内建场把浓度梯度转化为可受外部偏压调制的势垒。
  2. 5IMPATT 二极管进阶组合雪崩建立延迟与载流子渡越，在射频端口形成动态负阻的二极管。

学完之后

可以顺着下面这几条继续。

从零理解半导体19 站入门 – 进阶入门–进阶

晶体 → 能带 → 载流子 → 掺杂与输运 → PN 结 → MOS → MOSFET → CMOS

器件仿真：从控制方程到实验验证19 站基础 – 专深基础–专深

泊松—连续性—输运 → LED电光热耦合 → 网格收敛与参数校准 → 独立验证和适用域

半导体物理：从能带色散到 PN 结高场行为16 站入门 – 专深入门–专深

E(k)与态密度 → 费米统计与电离 → PN结静电输运 → 电容、击穿与隧穿

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