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半导体开放世界

互连电迁移的背应力与边界

Interconnect Electromigration: Back Stress and Boundaries

从原子通量、背应力与质量守恒判断互连能否达到可接受的稳态。

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速览

约 1 分钟

电子风可以被应力梯度抵消,但前提是原子输运边界和机械约束允许;零净迁移不等于所有失效机制都消失。

系统理解

约 2 分钟

互连电迁移不能只用电流大小描述。原子在哪些界面能通过、哪些端点被阻挡,以及初始热应力和连通储库,共同决定应力的绝对分布。

先写净原子通量与边界,再用局部和全局质量守恒求解;稳态分析用于筛查,尚不能稳定或已有空洞的结构还需瞬态与电阻失效判据。

在金属互连基础上进一步区分材料选择、输运边界和可检验的工程判据。

关键参数

关键参数
参数单位含义
Jatomm⁻²·s⁻¹原子数通量
σPa拉为正的应力
κm²/s应力扩散率

常见误区

  • 电连接连续意味着原子也能自由通过。
  • 每条几何边都可以单独用同一个jL常数筛查。
  • 达到零通量稳态就保证产品永不失效。

工程深入

12 条结论 · 2 道例题

驱动力与边界

定义

阻挡原子不等于阻断电流

阻挡层可让电流在通孔与金属间通过,却使原子不能跨过同一边界;因此电连接的连续性不能代替原子输运边界条件。判断一段线能否建立背应力,首先要找出原子可交换的连通区域。12

成立条件 阻挡能力指相关温度、材料和测试时间内的近似;不是把所有金属界面一律设成完全阻挡。

公式

背应力通过梯度抵消电子风而不是让电流消失

在符号一致的连续模型中,电子风与应力梯度共同决定净原子通量;稳态零通量要求应力梯度抵消风力。电流仍然存在,但不再产生持续净原子迁移。23

Jatom=DΩkBT(F+Ωdσdx);Jatom=0⇒dσdx=−FΩJ_{\mathrm{atom}}=\frac{D}{\Omega k_BT}\left(F+\Omega\frac{d\sigma}{dx}\right);\quad J_{\mathrm{atom}}=0\Rightarrow\frac{d\sigma}{dx}=-\frac F\Omega
Jatom = D/(ΩkBT)·(F + Ω dσ/dx);零通量时 dσ/dx = −F/Ω
JatomJ_{\mathrm{atom}}
原子数通量单位 m⁻²·s⁻¹
DD
有效原子扩散系数单位 m²/s
Ω\Omega
原子体积单位 m³
kBk_B
玻尔兹曼常数单位 J/K
TT
绝对温度单位 K
FF
有符号电子风力单位 N
σ\sigma
拉为正的应力单位 Pa
xx
轴向坐标单位 m

成立条件 σ取拉应力为正,F为沿所选x方向的有符号电子风力;不混用常规电流方向与电子流方向。

边界

零通量端与预存空洞端不能套同一边界

完全阻挡端要求原子通量为零,并不要求应力为零;若端部已有可松弛的空洞,忽略毛细压力时可用近零应力边界。把这两类端点互换,会改变应力绝对值及空洞增长预测。23

成立条件 零应力近似只用于所声明的预存空洞模型;纳米空洞毛细压力或界面反应可能需要额外边界项。

应力分布与网络

机制

闭合线的应力零点由原子守恒确定

稳态梯度只能给出两端应力差,不能单独确定任一点的绝对应力。两端阻挡且未成核的闭合均匀线,在无外加应力变化的近似下,还需使电迁移引起的体积平均应力增量为零;任意把一端钉为零会引入额外物理假设。23

成立条件 使用一维、等温、定截面、参数均匀的连续介质近似;失效模式和边界必须与实际结构对应。比较的是相对初始状态的应力增量。

公式

均匀闭合线两端承担一半应力差

若用g表示正的稳态应力梯度,闭合均匀线的电迁移应力增量为g(x−L/2),两端为−gL/2和+gL/2。加上初始均匀热应力后才可与拉应力成核阈值比较,而不是把整个gL直接当成单端增量。23

Δσ(x)=g(x−L2);σ(x)=σT+Δσ(x)\Delta\sigma(x)=g\left(x-\frac L2\right);\quad\sigma(x)=\sigma_T+\Delta\sigma(x)
Δσ(x) = g(x−L/2);σ(x) = σT + Δσ(x)
Δσ\Delta\sigma
电迁移应力增量单位 Pa
gg
正的稳态应力梯度单位 Pa/m
xx
沿线坐标单位 m
LL
线长单位 m
σT\sigma_T
初始均匀热应力单位 Pa
σ\sigma
总应力单位 Pa

成立条件 使用一维、等温、定截面、参数均匀的连续介质近似;失效模式和边界必须与实际结构对应。本式无预存空洞、无应力释放,g的正方向已选定。

例题:动手算一次教学假设,可复算

教学闭合线中g=2.00 MPa/μm,L=20.0 μm,初始拉应力σT=10.0 MPa,求两端总应力;若假设成核阈值40.0 MPa,怎样解释?

已知

  • 数值和阈值都是教学假设,不是某工艺的寿命或签核数据。
  • 两端完全阻挡、无空洞、截面与材料均匀。

步骤

  1. gL/2 = 2.00×20.0/2 = 20.0 MPa先求闭合线两端相对初始状态的半应力差。
  2. σ(0) = 10.0−20.0 = −10.0 MPa;σ(L) = 10.0+20.0 = 30.0 MPa将相反符号的增量分别加到热应力上。
结果 两端总应力为−10.0 MPa和30.0 MPa,最大拉应力低于假设40.0 MPa阈值。

只能在此模型和阈值下筛查应力驱动成核;不是保证任何失效机制都不会发生。

适用边界 若线端已有空洞或可交换原子,这个零均值闭合线解不适用。

边界

jL限值不是任意网络分段的万能筛子

孤立阻挡线的应力差随电流密度与长度乘积增加,但共享节点、储库或不同阻挡位置会改变绝对应力。不能把互连网络每条几何边独立与一个jL常数比较后,就声称整个网络可靠。23

成立条件 阈值须对应材料、初始应力、成核或可接受电阻判据;不沿用其他材料或年代的实验常数。

机制

分叉节点要守恒原子通量而不只是电流

分叉处的原子通量需按每条支路截面积和方向求和为零,同时满足连接处应力相容;支路电流满足电荷守恒,并不能自动满足原子输运守恒。未通电但可交换原子的支路也能充当储库并改变应力分布。2

成立条件 采用论文连通一维网络模型,节点不额外积累原子;若节点有有限存储或界面反应,需要另建节点方程。

速率、热应力与判据

机制

电流拥挤并不等同于原子通量散度

局部电流密度增大可增强电子风,但材料损失取决于原子通量在空间上的不平衡;扩散率、截面、应力和边界的变化同样能产生通量差。因此电流热点图是风险线索,不是空洞位置的充分判据。13

成立条件 比较时区分电流密度A/m²与原子通量m⁻²·s⁻¹;应同时检查热耦合和材料界面。

边界

扩散路径改变达到稳态的速度而不独自决定零通量梯度

晶界、金属/盖层界面等路径的扩散能力可显著影响迁移速度和失效过程;但在同一均匀、非零迁移率的零通量模型内,平衡梯度由风力与应力项相抵给出,不靠单独降低扩散系数改变。13

成立条件 不据此忽略微结构:多路径、非均匀参数、成核和有限工作寿命仍依赖动力学。

机制

初始热应力会占用可用的拉应力裕量

冷却产生的初始应力不是电迁移后可任意清零的常数;若初始已为拉应力,可允许的附加拉应力应相对于成核阈值减去初始值。把所有样品设为零初始应力,可能把同一电流条件下的风险排序改错。23

成立条件 热应力的正负依赖材料热膨胀与约束;这里不把所有实际结构都假定为拉应力。

公式

应力扩散时间尺度不是失效寿命

均匀等温模型的应力扩散率κ=DBΩ/(kBT),相应长度尺度L的演化时间量级为L²/κ。它说明长线建立应力更慢,但没有给出成核阈值、空洞临界体积或电阻阈值,不能直接称为器件寿命。23

κ=DBΩkBT;τ∼L2κ\kappa=\frac{DB\Omega}{k_BT};\quad\tau\sim\frac{L^2}{\kappa}
κ = DBΩ/(kBT);τ ≈ L²/κ
κ\kappa
应力扩散率单位 m²/s
DD
有效原子扩散系数单位 m²/s
BB
有效弹性约束模量单位 Pa
Ω\Omega
原子体积单位 m³
kBk_B
玻尔兹曼常数单位 J/K
TT
绝对温度单位 K
τ\tau
应力演化时间量级单位 s
LL
线长单位 m

成立条件 使用一维、等温、定截面、参数均匀的连续介质近似;失效模式和边界必须与实际结构对应。几何与边界会改变特征模态的数值因子;本式是量级定义。

例题:动手算一次教学假设,可复算

教学模型取κ=1.00×10⁻¹² m²/s,比较L=10.0 μm与20.0 μm的L²/κ。

已知

  • κ固定是教学假设;不以该值代表某工艺。

步骤

  1. 10.0 μm = 1.00×10⁻⁵ m;20.0 μm = 2.00×10⁻⁵ m长度先换成与κ匹配的米。
  2. τ₁ = (1.00×10⁻⁵)²/10⁻¹² = 100 s;τ₂ = 400 s分别代入平方长度关系。
结果 量级分别100 s与400 s,长度翻倍使该时间量级变为4倍。

这不是100 s或400 s后必然失效;它只描述应力演化尺度。

适用边界 温度、有效扩散率或边界变化后不得沿用该比例的全部条件。

边界

稳态筛查通过还要满足可接受的饱和状态

若预测能建立稳态,仍须检查是否在到达稳态前成核、饱和空洞是否使电阻超限、以及阳极压应力是否引发挤出或包覆破裂;不能把零净迁移简写成全失效机制下的无限寿命。23

成立条件 预存空洞与未成核闭合线分别采用各自模型;工程判据以指定产品和失效模式为准。

出处

3 份资料 · 23 处引用
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    Integrated Circuit Fabrication: Science and Technology

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