跳到正文
半导体开放世界
论文

Present status of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors

Toshio Kamiya; Kenji Nomura; Hideo Hosono

类型
论文
作者
Toshio Kamiya; Kenji Nomura; Hideo Hosono
出版
Tokyo Institute of Technology · 2010
原始链接
打开原始来源（新标签页）

本站引用的位置4 处，涉及 2 个知识点

  1. §6.1 Electronic structure、§6.2 Carrier transport mechanism，图17–18，在线全文按节定位

  2. sections TFT structures and fabrication process / TFT stability，图6、15，在线全文按节定位

  3. section Subgap density of states，图12–13，在线全文按节定位

  4. Operation characteristics：TFT stability、Illumination instability，图15–16，在线全文按节定位，无本地PDF页码