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半导体开放世界

Reliability of NAND Flash Memories: Planar Cells and Emerging Issues in 3D Devices

Alessandro Spinelli et al.

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  1. §3.6.2、4;;PDF pp.26–27,第 26–27 页

  2. §3.6.2、4;;PDF pp.26–28,第 26–28 页

  3. §3.6.2、4;;PDF pp.26,第 26 页

  4. §3.6.2、4;;PDF pp.28,第 28 页

  5. §3.6.2、4;;PDF pp.29–31,第 29–31 页

  6. §3.6.2、4;;PDF pp.29–33,第 29–33 页

  7. §3.6.2、4;;PDF pp.29,第 29 页

  8. §3.6.2、4;;PDF pp.30–31,第 30–31 页

  9. §3.6.2、4;;PDF pp.31–33,第 31–33 页

  10. §3.6.2、4;;PDF pp.32–33,第 32–33 页