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半导体开放世界

从光生电荷到CCD与MSM读出

光电二极管MOS存储与肖特基接触电荷转移与横向收集

适合
希望区分电荷域成像与双接触高速探测的器件学习者
学完你能
能解释CCD效率累积与拖尾、MSM指距和暗电流权衡，不混淆两种信号组织方式。
预计
约3–4小时 · 5 站

基础与电荷搬运

必学3 站

从光生载流子与MOS势阱理解CCD积分及移位。

  1. 1光电二极管基础利用结区电场收集光生电子—空穴对，把入射光转换为电流的半导体探测器。
  2. 2MOS 电容基础MOS 电容是栅极—绝缘层—半导体叠层形成的场效应端口，栅压通过氧化层电场连续重排半导体表面的电势与载流子。
  3. 3CCD 电荷耦合器件进阶用时钟控制相邻势阱，把光生电荷包逐站转移到读出端。

接触与横向收集

必学2 站

从肖特基接触进入叉指MSM的光学与输运约束。

  1. 4肖特基二极管进阶肖特基二极管利用具有整流性的金属—半导体势垒控制多数载流子越障输运，其低正向压降和快速关断来自不同于 PN 结少数载流子注入的物理机制。
  2. 5MSM 叉指光探测器进阶用背靠背肖特基接触与叉指横向电场收集光生载流子。

学完之后

可以顺着下面这几条继续。

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