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半导体开放世界

流水线 ADC 的残差与冗余纠错

Pipeline ADC Residue and Redundant Correction也称 Pipelined ADC、残差流水线ADC

用粗码、模拟残差和范围裕量检查冗余能纠正什么。

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速览

约 1 分钟

流水线同时处理多个样本,用残差逐级传递未决信息。冗余可容许一定粗判偏移,但不能找回过量程丢失的信息或任意DAC增益错误。

系统理解

约 2 分钟

先写每级粗码重构与放大残差,统一参考范围、决策符号和有效位权;1.5位级有三个决策区域,不能直接将1.5乘级数当分辨率。

数字端须对齐同一样本;普通重叠纠错和估计模拟系数的校准分开验证。吞吐、延迟和模拟建立是不同约束。

采样量化和指标复用旧ADC,开关和比较器物理复用旧节点;仅补内部实现和验证边界。

关键参数

关键参数
参数单位含义
级间增益1残差的放大与校准关系
残差范围V后级可表示的模拟电压区间
流水延迟s采样到对应输出有效

常见误区

  • 1.5乘级数就是有效位数。
  • 冗余可以修复所有模拟误差。
  • 高吞吐意味着没有单样本延迟。

工程深入

12 条结论 · 1 道例题

残差链与MDAC

公式

下一级接收的是放大的模拟残差

子量程流水级先量化出粗码,经子DAC重构后从保持输入中相减,再放大残差送下级;下级细分前级未决信息,并非独立重测原始全幅输入。12

Vres=G(Vin−VDAC)V_{\mathrm{res}}=G\left(V_{\mathrm{in}}-V_{\mathrm{DAC}}\right)
Vres = G·(Vin−Vdac)
VresV_{\mathrm{res}}
放大残差单位 V
GG
级间增益无量纲
VinV_{\mathrm{in}}
本级保持输入单位 V
VDACV_{\mathrm{DAC}}
粗码重构电压单位 V

成立条件 限定subranging pipeline;末级可以不同

定义

MDAC把多个模拟动作合在开关电容级

CMOS流水级的乘法DAC可用开关电容与放大器共同完成保持、子DAC及残差放大;方框图不表示每一功能都必须由相互独立的放大器实现。23

成立条件 限定所引开关电容实现;名称不保证消除失配

冗余与纠错

定义

1.5位级表示三种决策区域

典型1.5位级以两个比较器区分三段,按−1、0、+1选择重构参考;理想增益2且范围匹配时每级贡献一个有效二进制位,其余选择范围用于重叠,不是每样本输出半个二进制位。23

成立条件 本节点D为有符号码;文献0/1/2码须先减1

公式

三段残差须连同阈值与码约定给出

对范围±Vr、阈值±Vr/4的理想1.5位级,D取−1、0、+1且Vres=2Vin−D Vr;若把0、1、2原码直接代入有符号式,残差会整体错移一个参考值。23

Vres=2Vin−DVr,D∈{−1,0,+1}V_{\mathrm{res}}=2V_{\mathrm{in}}-DV_r,\quad D\in\{-1,0,+1\}
Vres = 2Vin−D·Vr;D∈{−1,0,+1}
VresV_{\mathrm{res}}
下级残差单位 V
VinV_{\mathrm{in}}
本级输入单位 V
DD
有符号决策无量纲
VrV_r
参考幅度,区间±Vr单位 V

成立条件 等电容、理想放大器且无附加偏置;边界等号归属由实现定义

例题:动手算一次教学假设,可复算

教学1.5位级Vr=1.00 V、Vin=0.200 V,理想上阈值+0.250 V。门限移到+0.150 V后D从0变+1,残差及重构输入如何?

已知

  • Vres=2Vin−D Vr
  • 下级范围−1.00到+1.00 V
  • 本题DAC、增益与后级理想

步骤

  1. D=0:Vres=+0.400 V;Vin=(0.400+0)/2=0.200 V理想中段决策。
  2. D=+1:Vres=−0.600 V;Vin=(−0.600+1.00)/2=0.200 V相邻决策仍可表示。
  3. 若D=−1:Vres=+1.400 V>+1.00 V过量程不能由同一纠错承诺兜底。
结果 D=0和+1分别得到+0.400 V和−0.600 V,均可重构0.200 V;D=−1使残差溢出。

冗余容许可表示的替代决策,不是任意错误。

适用边界 连续残差教学;现实仍有后级量化、噪声、DAC及增益误差。

机制

相邻粗码可不同而仍表示同一输入

门限偏移能使相邻粗判改变,却仍可由后级残差与粗码组合还原输入;冗余依赖可表示的残差范围,不是要求前级原码每次都等于理想值。23

成立条件 子DAC按同一决策一致变化;后级能转换完整所得残差

边界

后级过量程不能由数字加法找回

残差超过后级范围后,饱和或受限码丢失了必要残差信息;普通冗余数字校正不能保证恢复该输入。24

成立条件 检查残差峰值与真实范围;有冗余不替代模拟裕量

模拟误差与校准

边界

重叠纠错不自动校正DAC线性与级间增益

重叠码放宽子ADC门限精度,但子DAC步长或残差放大增益不准确会改变模拟映射;这些误差需额外模拟精度或对应校准,不能统称为冗余已消除。24

成立条件 区分普通纠错与参数校准;参考和增益约定一致

机制

后级误差折回输入要除以前方累计增益

在线性理想级间关系下,后级局部电压误差折回最初输入时被前方累计残差增益衰减;前级常需更严格模拟精度,不能把各级局部LSB或电压误差等量相加。23

成立条件 限定小误差折算;不忽略前级误差与饱和

机制

校准估计模拟系数而不只是再次使用重叠位

数字校准测量或自适应估计残差权重、失配与增益误差,再用相应系数组合输出;这不同于仅利用重叠范围修正门限错误,并须注明前台/后台及可跟踪变化。23

成立条件 可校准项由算法和观测决定;不保证任意非线性和超量程可恢复

时序与验证

机制

各级粗码必须按同一样本对齐

同一时刻各级处理不同采样序号,数字纠错前需延迟寄存器对齐同一样本的粗码和尾部结果;错接不同样本的位不能靠正确静态权重补救。4

成立条件 按实际架构确定延迟;启动无效字另行处理

边界

吞吐率与单样本延迟是两项指标

稳定流水下各级并行处理不同样本,可按阶段节拍连续输出;单个样本仍须经过各级及数字组合,所以高吞吐与多周期延迟同时存在。24

成立条件 填满流水后讨论稳态;具体延迟查器件而非仅数级数

边界

相位占空比影响可用模拟建立窗口

在所引交替跟踪/保持结构中,相邻级用交替相位;外部占空比改变可能压短一组级的建立时间。内部占空比修正和允许时钟范围须查具体器件。4

成立条件 限依赖该相位分配的实现;不泛化所有架构都严格要求50%外时钟

出处

4 份资料 · 22 处引用
  1. 1

    芯片设计:CMOS模拟集成电路设计与仿真实例(基于Cadence IC 617)

    查看这个来源 →
  2. 2

    Digitally Calibrated Analog-to-Digital Converters in Deep Sub-micron CMOS

    查看这个来源 →
  3. 3

    Understanding Pipelined ADCs

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  4. 4

    MT-024: ADC Architectures V — Pipelined Subranging ADCs

    查看这个来源 →

本页结论均已对照来源核对,其中 2 条目前只有一个来源,尚未经过同行专家审阅。发现不准确的地方,请告诉我们。

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