米勒补偿与调零网络设计
Miller Compensation and Nulling Network Design
用零点位置、寄生极点和负载范围验证补偿,而非只选一个补偿电容。
速览
约 1 分钟本页承接米勒效应和相位裕度,重点分析串联调零电阻如何移动前馈零点,以及为何标称抵消不能代替负载和工艺验证。
系统理解
约 2 分钟两级补偿同时改变高阻节点与输出节点的电荷运动。第二级的跨导通路与跨接电容的前馈通路形成零点,加入串联电阻后,零点可以留在右半平面、移到无穷远或进入左半平面。
调零也会引入额外极点。负载变化、MOS电阻非线性和寄生电容会破坏理想抵消,最终必须把零极点、闭环瞬态及工艺温度范围放在一起核对。
复用频率响应与运放节点中的基本定义;只补调零网络方程、寄生约束和抵消鲁棒性,后接压摆与建立表征。
关键参数
| 参数 | 单位 | 含义 |
|---|---|---|
| Cc与Rz | F;Ω | 跨级补偿电容及其串联调零电阻 |
| gm2与CL | S;F | 第二级跨导与有效输出负载 |
| CI | F | 第一级输出节点对地电容 |
常见误区
- Rz=1/gm2会把零点放到原点。
- 相同频率的右半平面零点能抵消左半平面极点。
- 调零后可以忽略新极点和负载变化。
工程深入
12 条结论 · 1 道例题支持两级模拟放大器在指定负载和闭环配置下选择补偿网络,并识别只在典型角看似稳定的设计。
零点与调零方程
串联电阻把零点位置写成电容与电阻差
在简化两级模型中,串联调零电阻后的实轴零点为sz=1/[Cc(1/gm2−Rz)]。这里sz是带正负号的复频率根,不是始终取正的频率大小;应先判定半平面,再讨论其幅值与交越距离。12
- 带符号实轴零点根单位 s⁻¹
- 补偿电容单位 F
- 第二级跨导大小单位 S
- 串联调零电阻单位 Ω
成立条件 忽略未建模的高频通路;与教材相同两级模型;gm2为正的跨导大小;Rz不等于1/gm2时使用有限根表达式
例题:动手算一次教学假设,可复算
教学设gm2=1.00mS、Cc=1.00pF,分别取Rz=0、1.00kΩ、2.00kΩ,求理想模型的零点位置。
已知
- gm2=0.00100S,Cc=10⁻¹²F
- Rz取0、1000、2000Ω
步骤
- 1/gm2 = 1000 Ω先比较电阻与跨导倒数。
- Rz=0:sz=+10⁹ s⁻¹;Rz=2000Ω:sz=−10⁹ s⁻¹分别位于右、左半平面;幅值对应159MHz。
- Rz=1000Ω:分子一阶系数为0有限零点移至无穷远,不是sz=0。
零点的半平面比只比较正的频率数值更重要。
适用边界 均为教学常参数;真实寄生会保留其他高频根。
寄生与抵消边界
实现与验证
MOS调零电阻在大摆幅下不是固定小信号电阻
在线性区工作的MOS可实现调零电阻,但其阻值随端电压和偏置变化。输出大阶跃经补偿电容耦合到该支路时,即使小信号相位裕度合格,瞬态调零关系也可能偏离并拖慢恢复。2
成立条件 分析MOS电阻实际端电压与工作区;不能把小信号Ron常数用于整个大信号轨迹
跟踪跨导的偏置方法仍有器件模型条件
用匹配器件或电阻比让Rz跟踪1/gm2,可减轻工艺温度引起的偏移,但推导若使用平方律,短沟道器件偏离平方律后就需重新验证。比值设计不能证明任意偏置下的跨导和电阻严格互为倒数。2
成立条件 保留匹配、几何、器件工作区及模型条件;工艺角和温度同时改变实际gm与电阻
出处
2 本教材 · 22 处引用- 1
CMOS模拟集成电路设计(第3版)
- §6.2 图6.2-11、式6.2-18及图6.2-15,印224、227–228,PDF234、237–238 支持:调零分析必须保留前馈与跨导两条通路
- §6.2,式6.2-32、6.2-40,印227,PDF237 支持:串联电阻把零点位置写成电容与电阻差
- §6.2 式6.2-32、6.2-40及调零讨论,印227–228,PDF237–238 支持:精确调零意味着去掉分子一阶项而非得到零频零点
- §6.2 式6.2-36、6.2-39及6.2-46,印227–228,PDF237–238 支持:调零电阻还会引入不能忽略的高频极点
- §6.2 式6.2-42–6.2-44,印228,PDF238 支持:左半平面匹配输出极点需要知道真实负载
- §6.2 式6.2-44及邻近根对的瞬态边界,印228、231,PDF238、241 支持:标称极零点抵消会被工作相位负载变化破坏
- §6.2 图6.2-13及式6.2-28–6.2-29,印226,PDF236 支持:缓冲补偿支路改变零点也会带来新动态约束
- §6.2 式6.2-19–6.2-24,印224–225,PDF234–235 支持:单一Cc负载比例不是所有电路的补偿规范
- §6.2 式6.2-15及输出极点讨论,印223,PDF233 支持:增大两级运放输出负载可能降低稳定裕度
- §6.2 近邻极零点瞬态说明,印231,PDF241 支持:补偿验收要观察误差尾部而不只看第一次上升
- 2
模拟CMOS集成电路设计
- §10.5,前馈零点及式10.29–10.30,印384,PDF409 支持:调零分析必须保留前馈与跨导两条通路
- §10.5,式10.30,印384,PDF409 支持:串联电阻把零点位置写成电容与电阻差
- §10.5 式10.30及图10.32,印384–385,PDF409–410 支持:精确调零意味着去掉分子一阶项而非得到零频零点
- §10.5 图10.32前说明,印384,PDF409 支持:调零电阻还会引入不能忽略的高频极点
- §10.5 式10.31–10.33及§11.6.2,印385、449,PDF410、474 支持:左半平面匹配输出极点需要知道真实负载
- §10.5 式10.33之后零极点对讨论,印385,PDF410 支持:标称极零点抵消会被工作相位负载变化破坏
- §10.5 图10.33及正文,印385,PDF410 支持:MOS调零电阻在大摆幅下不是固定小信号电阻
- §10.5 图10.34–10.35、式10.34–10.35及次页,印385–386,PDF410–411 支持:跟踪跨导的偏置方法仍有器件模型条件
- §10.7 图10.41–10.43,印389–390,PDF414–415 支持:缓冲补偿支路改变零点也会带来新动态约束
- §10.5 例10.6与零点补充,印383–384,PDF408–409 支持:单一Cc负载比例不是所有电路的补偿规范
- §10.5 图10.36,印386,PDF411 支持:增大两级运放输出负载可能降低稳定裕度
- §11.6.3 图11.58–11.59,印451,PDF476 支持:补偿验收要观察误差尾部而不只看第一次上升
本页结论均已对照来源核对,其中 2 条目前只有一个来源,尚未经过同行专家审阅。发现不准确的地方,请告诉我们。
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