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半导体开放世界

米勒补偿与调零网络设计

Miller Compensation and Nulling Network Design

用零点位置、寄生极点和负载范围验证补偿,而非只选一个补偿电容。

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约 1 分钟

本页承接米勒效应和相位裕度,重点分析串联调零电阻如何移动前馈零点,以及为何标称抵消不能代替负载和工艺验证。

系统理解

约 2 分钟

两级补偿同时改变高阻节点与输出节点的电荷运动。第二级的跨导通路与跨接电容的前馈通路形成零点,加入串联电阻后,零点可以留在右半平面、移到无穷远或进入左半平面。

调零也会引入额外极点。负载变化、MOS电阻非线性和寄生电容会破坏理想抵消,最终必须把零极点、闭环瞬态及工艺温度范围放在一起核对。

复用频率响应与运放节点中的基本定义;只补调零网络方程、寄生约束和抵消鲁棒性,后接压摆与建立表征。

关键参数

关键参数
参数单位含义
Cc与RzF;Ω跨级补偿电容及其串联调零电阻
gm2与CLS;F第二级跨导与有效输出负载
CIF第一级输出节点对地电容

常见误区

  • Rz=1/gm2会把零点放到原点。
  • 相同频率的右半平面零点能抵消左半平面极点。
  • 调零后可以忽略新极点和负载变化。

工程深入

12 条结论 · 1 道例题

零点与调零方程

机制

调零分析必须保留前馈与跨导两条通路

计算补偿零点时,要同时保留跨接电容直达输出的电流和第二级跨导产生的输出电流。用固定米勒等效电容替代整条跨接支路,会丢掉形成零点的抵消条件,不能用于确定调零电阻。12

成立条件 两级反相放大器在偏置点附近线性化;使用同一输出电流方向与节点电压约定

公式

串联电阻把零点位置写成电容与电阻差

在简化两级模型中,串联调零电阻后的实轴零点为sz=1/[Cc(1/gm2−Rz)]。这里sz是带正负号的复频率根,不是始终取正的频率大小;应先判定半平面,再讨论其幅值与交越距离。12

sz=1Cc(1/gm2−Rz)s_z=\frac{1}{C_c(1/g_{m2}-R_z)}
sz = 1/[Cc(1/gm2−Rz)]
szs_z
带符号实轴零点根单位 s⁻¹
CcC_c
补偿电容单位 F
gm2g_{m2}
第二级跨导大小单位 S
RzR_z
串联调零电阻单位 Ω

成立条件 忽略未建模的高频通路;与教材相同两级模型;gm2为正的跨导大小;Rz不等于1/gm2时使用有限根表达式

例题:动手算一次教学假设,可复算

教学设gm2=1.00mS、Cc=1.00pF,分别取Rz=0、1.00kΩ、2.00kΩ,求理想模型的零点位置。

已知

  • gm2=0.00100S,Cc=10⁻¹²F
  • Rz取0、1000、2000Ω

步骤

  1. 1/gm2 = 1000 Ω先比较电阻与跨导倒数。
  2. Rz=0:sz=+10⁹ s⁻¹;Rz=2000Ω:sz=−10⁹ s⁻¹分别位于右、左半平面;幅值对应159MHz。
  3. Rz=1000Ω:分子一阶系数为0有限零点移至无穷远,不是sz=0。
结果 零点从RHP经无穷远进入LHP;两侧教学根幅值均10⁹s⁻¹。

零点的半平面比只比较正的频率数值更重要。

适用边界 均为教学常参数;真实寄生会保留其他高频根。

边界

精确调零意味着去掉分子一阶项而非得到零频零点

当Rz=1/gm2时,简化传递函数分子中的s项消失,因此这一个有限零点不再存在。不能把分母为零的根公式算成零频;实际电路也不会因此自动消失所有寄生零点。12

成立条件 仅讨论该简化分子的零点;保留工艺、温度和偏置引起的失配

寄生与抵消边界

公式

调零电阻还会引入不能忽略的高频极点

串联电阻增加动态阶数;在电阻小于两级节点电阻、极点充分分离的近似中,附加极点约为−1/(Rz CI)。若该极点靠近环路交越,去除一个RHP零点的收益可能被额外相位滞后部分抵消。12

p4≈−1RzCIp_4\approx-\frac{1}{R_z C_I}
p4 ≈ −1/(Rz CI)
p4p_4
调零网络引入的近似极点根单位 s⁻¹
RzR_z
调零电阻单位 Ω
CIC_I
第一级输出节点对地电容单位 F

成立条件 Rz>0;CI为第一级输出对地电容;满足小串联电阻及极点分离近似;不把该近似替代完整三阶特征根

公式

左半平面匹配输出极点需要知道真实负载

若输出极点近似为−gm2/CL,将LHP零点匹配到它要求Rz≈(1+CL/Cc)/gm2。CL必须包含该模型中的有效输出电容;漏掉反馈网络或下一阶段输入的负载,会让标称匹配从一开始就偏离。12

Rz≈1+CL/Ccgm2R_z\approx\frac{1+C_L/C_c}{g_{m2}}
Rz ≈ (1+CL/Cc)/gm2
RzR_z
匹配LHP零点的电阻单位 Ω
CL,CcC_L,C_c
有效输出与补偿电容单位 F
gm2g_{m2}
第二级跨导大小单位 S

成立条件 第一级寄生相对输出及补偿电容可忽略;极点充分分离且其他根不主导;仅作为初始设计值,后续重新提取完整极零点

边界

标称极零点抵消会被工作相位负载变化破坏

调零匹配依赖CL/Cc,开关电容电路不同相位或不同外接负载可能改变CL。同一个固定Rz不能自动在每个负载状态保持精确抵消,必须分别验证工作状态与状态切换后的建立。12

成立条件 区分各工作相位的真实电路连接;标称匹配不作为整个负载范围的保证

实现与验证

边界

MOS调零电阻在大摆幅下不是固定小信号电阻

在线性区工作的MOS可实现调零电阻,但其阻值随端电压和偏置变化。输出大阶跃经补偿电容耦合到该支路时,即使小信号相位裕度合格,瞬态调零关系也可能偏离并拖慢恢复。2

成立条件 分析MOS电阻实际端电压与工作区;不能把小信号Ron常数用于整个大信号轨迹

边界

跟踪跨导的偏置方法仍有器件模型条件

用匹配器件或电阻比让Rz跟踪1/gm2,可减轻工艺温度引起的偏移,但推导若使用平方律,短沟道器件偏离平方律后就需重新验证。比值设计不能证明任意偏置下的跨导和电阻严格互为倒数。2

成立条件 保留匹配、几何、器件工作区及模型条件;工艺角和温度同时改变实际gm与电阻

边界

缓冲补偿支路改变零点也会带来新动态约束

在补偿支路插入缓冲器可抑制电容的正向前馈,却不能把缓冲器视作永远理想。有限输出阻抗、寄生电容及偏置电流可能引入额外根和摆幅限制,必须把缓冲器一起放入模型。12

成立条件 区分电压缓冲与电流缓冲拓扑;不把所有缓冲补偿等同为同一个传递函数

边界

单一Cc负载比例不是所有电路的补偿规范

教材中Cc相对CL的比例由跨导比、零点远离交越及目标相位裕度等条件推导。不能脱离这些条件把一个百分比当作所有两级运放的通用稳定标准,尤其在新增寄生极点或更换反馈系数后。12

成立条件 先列所忽略的镜像及内部节点根;使用实际环路交越与相位而非只检查比例

边界

增大两级运放输出负载可能降低稳定裕度

在内部米勒主极点已建立的两级运放中,增大输出电容常把非主输出极点拉近交越,而不是继续移动同一个主极点。不能照搬单级负载补偿电路中大CL可能更稳定的结论。12

成立条件 明确比较的单级与两级拓扑;跨导、补偿和反馈配置保持可比

边界

补偿验收要观察误差尾部而不只看第一次上升

调零网络可改善相位裕度和短时波形,但近邻极零点及过度补偿都可能拖长达到窄误差带的时间。比较方案时应保留相同误差容限、负载和最终值定义,同时查看全阶跃和尾部放大图。12

成立条件 比较相同输入幅值与闭环配置;不将上升更快自动等同最终建立更快

出处

2 本教材 · 22 处引用
  1. 1

    CMOS模拟集成电路设计(第3版)

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  2. 2

    模拟CMOS集成电路设计

    查看这个来源 →

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