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半导体开放世界
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Prediction of Plasma Charging Induced Gate Oxide Damage by Plasma Charging Probe

Shawming Ma; James P. McVittie; Krishna C. Saraswat

类型
其他资料
作者
Shawming Ma; James P. McVittie; Krishna C. Saraswat
出版
Stanford University；IEEE Electron Device Letters 18(10),468–470 · 1997
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  1. 作者上传全文HTML，§I–III、图1–3，印刷第468–470页，本次未核PDF页码