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半导体开放世界
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Oxide Charging Damage in Integrated Circuit Processing Investigated with a Coupled Plasma/IC Device Model

William George En

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  1. 第 10 章,印刷第114页

  2. 第 10 章,印刷第115–116页,式10-1至10-3

  3. 第 10 章,印刷第115页

  4. 第 10 章,印刷第118页

  5. 第 10 章,印刷第119页

  6. 第 10 章,印刷第122页