Modeling and Simulation of Negative Bias Temperature Instability

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1. 5.2.1 节 Measurement of Breakdown，HTML，无本次实核PDF/印刷页码

   栅介质击穿与 TDDB 寿命表征

2. 5.3 节与5.3.1.1，图5.4，HTML，无本次实核PDF/印刷页码

   栅介质隧穿漏电与势垒模型

3. 5.3.2 节，SILC与retention讨论，HTML，无本次实核PDF/印刷页码

   栅介质隧穿漏电与势垒模型

4. 5.3.2.1 节 Inelastic Phonon-Assisted Tunneling及5.3.2，HTML，无本次实核PDF/印刷页码

   栅介质隧穿漏电与势垒模型

5. 5.3.2.1–5.3.2.3 节，图5.5及式(5.3)–(5.6)，HTML，无本次实核PDF/印刷页码

   栅介质隧穿漏电与势垒模型