Wear-out and Time Dependent Dielectric Breakdown in Silicon Oxides

本站引用的位置1 处，涉及 1 个知识点

1. NIST原作者出版记录Abstract，physical mechanisms及power-law voltage acceleration model段，只实读摘要，无实核全文页码

   栅介质击穿与 TDDB 寿命表征