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半导体开放世界
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Ultra-Thin Gate Oxide Reliability: Physical Models, Statistics, and Characterization

John S. Suehle

类型
其他资料
作者
John S. Suehle
出版
NIST; IEEE Transactions on Electron Devices 49(6) · 2002
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  1. NIST原作者出版记录Abstract，soft breakdown检测及circuit functionality段，只实读摘要，无实核全文页码

  2. NIST原作者出版记录Abstract，voltage dependent acceleration及non-Arrhenius temperature dependence句，只实读摘要，无实核全文页码