Modeling of Hot-Carrier Degradation: Physics and Controversial Issues
Stanislav Tyaginov; Tibor Grasser
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sections I–II，图1–3，印刷第206–207页，PDF第1–2页
sections I–III，图1–4，印刷第206–208页，PDF第1–3页
sections I–III及VI，单粒子/多粒子过程，印刷第206–208、215页，PDF第1–3、10页
sections II–III及VI，最坏应力随器件尺度变化的讨论，印刷第206–215页，PDF第1–10页中的实际核读第1–3、10页
section VI Conclusions，印刷第215页，PDF第10页