跳到正文
半导体开放世界
其他资料

A Rigorous Study of Measurement Techniques for Negative Bias Temperature Instability

Tibor Grasser; Paul-Jürgen Wagner; Philipp Hehenberger; Wolfgang Gös; Ben Kaczer

类型
其他资料
作者
Tibor Grasser; Paul-Jürgen Wagner; Philipp Hehenberger; Wolfgang Gös; Ben Kaczer
出版
TU Wien; IMEC · 2007
原始链接
打开原始来源（新标签页）

本站引用的位置9 处，涉及 1 个知识点

  1. section I，式(1)，印刷第6页，PDF第1页，section II脚注1，印刷第7页，PDF第2页

  2. sections I–II，式(1)，印刷第6–7页，PDF第1–2页，按两器件阈值变化作差推导

  3. sections I–II，式(1)与界面电荷占据说明，印刷第6–7页，PDF第1–2页

  4. sections I、IV A，图1、5–6，印刷第6、9–10页，PDF第1、4–5页

  5. sections II B、IV B、V，式(5)–(8)，图7–9，印刷第7–8、10–11页，PDF第2–3、5–6页

  6. section II及文末Questions and Answers，印刷第7、11页，PDF第2、6页

  7. section III A–C，式(9)–(14)、图2–3，印刷第8–9页，PDF第3–4页

  8. section III A，式(9)–(11)、图2–3，印刷第8页，PDF第3页

  9. section IV B，图9，印刷第11页，PDF第6页