Negative bias temperature instability: Road to cross in deep submicron silicon semiconductor manufacturing
Dieter K. Schroder; Jeff A. Babcock
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section II–III，式(1)–(2)及式(5)，印刷第2–5页，PDF第2–5页
section II Introduction，印刷第2–3页，PDF第2–3页
section II，印刷第2–3页，PDF第2–3页
section III，式(2)、(5)，图4–5，印刷第3–6页，PDF第3–6页
section II及III，印刷第3、6页，PDF第3、6页
section III，式(3)及其后说明，印刷第4页，PDF第4页
section IV A–B及VII，印刷第6–7、16页，PDF第6–7、16页
sections V L、V O、VI，印刷第13–16页，PDF第13–16页