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半导体开放世界
教材与专著

DC and RF Characterization of NiSi Schottky Barrier MOSFETs with Dopant Segregation

Christoph Johannes Urban

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  1. §3.1–3.2,表3.1及图3.2,第 21–23 页

  2. §3.2,式3.1,第 22 页

  3. §3.2,图3.2,第 23 页

  4. §3.3,图3.5,第 25–26 页