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半导体开放世界
论文

Physical mechanisms of transient enhanced dopant diffusion in ion-implanted silicon

P. A. Stolk; H.-J. Gossmann; D. J. Eaglesham; C. S. Rafferty; M. Jaraíz; J. M. Poate; et al.

类型
论文
作者
P. A. Stolk; H.-J. Gossmann; D. J. Eaglesham; C. S. Rafferty; M. Jaraíz; J. M. Poate; et al.
出版
Bell Laboratories / Oak Ridge National Laboratory / Journal of Applied Physics · 1997
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  1. §III.A–B，图4–7，第 6034–6036 页

  2. §III.A，图5，§VII.B，式15，第 6035、6047 页

  3. §V.B，式6a–6b，第 6039–6040 页

  4. §II.A、§IV.A，图11–13，第 6033、6037–6038 页

  5. §VII.B，式15–17，第 6047 页

  6. §VI.A，图23，第 6043 页

  7. §VII.A，图26–27，第 6045–6046 页