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半导体开放世界

In situ Metrology During the Growth of Compound Semiconductors by Molecular Beam Epitaxy

NIST researchers

类型
论文
作者
NIST researchers
出版
National Institute of Standards and Technology · 2000
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  1. NIST Web publication §Abstract，in-situ SE, RHEED, DRS and ex-situ XRD correlation