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知识点3
光刻胶Photoresist
基础把空间光强分布转化为显影溶解速率差,并在晶圆上形成可承受后续刻蚀或注入的三维聚合物图形。
曝光Exposure
基础让掩模产生的衍射级次经过有限数值孔径的投影系统,在晶圆光刻胶中形成可被材料阈值读取的空间光强分布。
显影Development
基础让显影液选择性溶解光刻胶中化学状态不同的区域,并通过冲洗、干燥把潜像固定成可量测的三维胶形。
结论5
光刻胶把光强信息编码成溶解速率差在「光刻胶」中
光刻胶图形是后续工艺使用的临时掩模在「光刻胶」中
曝光把掩模信息变成光刻胶中的空间剂量分布在「曝光」中
EUV是一条从锡等离子体到光刻胶的光子预算链在「极紫外光刻」中
量产就绪要求光源、掩模、光刻胶、光学和套刻同时关闭在「极紫外光刻」中